- 多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响被引量：1
- 2015年
- 本文主要讨论了多个硅通孔引起的热应力对迁移率和阻止区的影响,得到了器件沟道沿[100]方向时,硅通孔之间的角度和间距对电子迁移率和阻止区的影响.设定两种阻止区区域,即迁移率变化分别为5%和10%的区域,且主要考虑相邻TSV之间的区域.仿真结果表明:当硅通孔和X轴所成角度为π/4时,电子迁移率变化和阻止区区域最小,但是可布置器件区域不规则,不易于布局.随着间距的增加,电子迁移率变化和阻止区区域逐渐增大,趋向于单个TSV的情况;当角度为0时,电子迁移率变化和阻止区区域变大,可布置器件区域为硅通孔围成的中心小区域上,形状比较规则,便于布局.而且随着间距的增加,电子迁移率变化和阻止区区域越来越小,趋向于单个硅通孔的情况.
- 董刚刘荡石涛杨银堂
- 关键词：热应力
