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严如岳
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1
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天津电子材料研究所
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华庆恒
天津电子材料研究所
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严如岳
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1篇
1990
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直流磁控溅射TiN/GaAs肖特基结的电学特性研究
1990年
本文研究了经直流磁控溅射制备的TiN/GaAs肖特基结的电学特性.给出了不同退火温度下I-V,C-V测量结果及TiN/GaAs与Au/GaAs,Ti/GaAs,Al/GaAs接触特性的比较.应用AES与XPS进行肖特基结的表面和界面剖析,发现退火过程中TiN膜的氧化,N在TiN膜中的再分布及TiN-GaAs接触界面上的化学重组对肖特基结的接触特性有重要影响.
华庆恒
严如岳
李岩松
陈古川
张菀
刘咏梅
杨媛琪
关键词:
直流磁控
溅射
肖特基结
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