您的位置: 专家智库 > >

文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 2篇经济管理
  • 1篇化学工程

主题

  • 6篇多晶
  • 6篇多晶硅
  • 4篇还原炉
  • 3篇湍流
  • 3篇湍流流动
  • 3篇边界层
  • 3篇边界层效应
  • 2篇单程收率
  • 2篇氮气置换
  • 2篇预热
  • 2篇三氯氢硅
  • 2篇收率
  • 2篇氢等离子体
  • 2篇氪气
  • 2篇芯棒
  • 2篇节能
  • 2篇节能环保
  • 2篇环保
  • 2篇甲硅烷
  • 2篇硅烷

机构

  • 8篇江苏中能硅业...

作者

  • 8篇王燕
  • 7篇钟真武
  • 7篇陈其国
  • 5篇蒋文武
  • 5篇刘逸枫
  • 5篇崔树玉
  • 2篇陈文龙
  • 2篇王小军

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2010
  • 1篇2009
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
氢等离子体辅助制造多晶硅的系统和方法
本发明公开了一种利用氢等离子体生产多晶硅的系统和方法,该方法采用二氯甲硅烷、三氯甲硅烷和四氯化硅中的一种或几种为原料气体,并采用氢气作为还原气体,或另外添加氦气、氖气、氩气及氪气中的一种或几种作为辅助气体,与原料气体混合...
陈涵斌钟真武陈其国陈文龙王小军王燕
用于制备多晶硅的还原炉
本实用新型涉及一种用于制备多晶硅的还原炉,其包括外层壳体、内层壳体、底盘、硅芯棒,冷却水循环装置,设置在底盘上的进气口、排气口,其特征在于在所述还原炉的上部设置进气口,进气、排气口既可独立分设在底盘和/或顶部,也可以同心...
刘逸枫崔树玉陈其国钟真武蒋文武王燕
文献传递
制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置
一种制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置,该方法包括:a)抽空还原炉内的空气,以氮气置换数次,启动还原炉;b)通过外部加热装置将三氯氢硅汽化加热,并与氢气以摩尔比1∶3-17的比例混合均匀;c)将三氯氢硅和氢气混合的原料...
刘逸枫崔树玉陈其国钟真武王燕蒋文武
文献传递
一种多晶硅还原炉
本发明公开了一种多晶硅还原炉,包括外壳以及设置在所述外壳下端部处的底盘,所述外壳与所述底盘一起限定了炉腔,原料气经由原料气进气管进入炉腔内,所述原料气进气管具有在所述炉腔内沿竖向延伸的加长部,并且沿所述加长部设有处于多个...
王燕
文献传递
一种半导体材料棒材的制造方法
本发明涉及一种半导体材料棒材的制造方法。更具体而言,本发明涉及一种在芯棒上通过热沉积法使半导体材料生长而制造所述半导体材料棒材的方法,所述方法包括利用热废气对芯棒进行预热的步骤。与现有的方法相比,本发明方法的经济性更好,...
陈其国钟真武刘逸枫崔树玉王燕蒋文武
文献传递
氢等离子体辅助制造多晶硅的系统和方法
本发明公开了一种利用氢等离子体生产多晶硅的方法,该方法采用二氯甲硅烷、三氯甲硅烷和四氯化硅中的一种或几种为原料气体,并采用氢气作为还原气体,或另外添加氦气、氖气、氩气及氪气中的一种或几种作为辅助气体,与原料气体混合后同时...
陈涵斌钟真武陈其国陈文龙王小军王燕
文献传递
制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置
一种制备高致密结构多晶硅的改进方法和装置,该方法包括:a)抽空还原炉内的空气,以氮气置换数次,启动还原炉;b)通过外部加热装置将三氯氢硅汽化加热,并与氢气以摩尔比1∶3-17的比例混合均匀;c)将三氯氢硅和氢气混合的原料...
刘逸枫崔树玉陈其国钟真武王燕蒋文武
一种半导体材料棒材的制造方法
本发明涉及一种半导体材料棒材的制造方法。更具体而言,本发明涉及一种在芯棒上通过热沉积法使半导体材料生长而制造所述半导体材料棒材的方法,所述方法包括利用热废气对芯棒进行预热的步骤。与现有的方法相比,本发明方法的经济性更好,...
陈其国钟真武刘逸枫崔树玉王燕蒋文武
共1页<1>
聚类工具0