程春红
- 作品数：5 被引量：7H指数：1
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- 双极大功率晶体管背面工艺优化被引量：1
- 2014年
- 针对双极大功率晶体管批量生产时,存在的晶体管基极-集电极(BC)之间正向压降偏大且一致性较差的现象,对影响功率晶体管BC正向压降的因素进行了分析,并进行了相应的工艺实验,优化了工艺条件。实验结果表明,影响功率晶体管BC结正向压降的是背面减薄工艺和背面金属化工艺前的清洗工艺,芯片背表面的状态是影响器件BC正向压降的主要因素,优化后功率晶体管的BC正向压降优于指标要求,提高了批次间芯片参数的一致性,确保了双极大功率晶体管的工作稳定性。
- 霍彩红潘宏菽刘相伍程春红
- 关键词：非均匀性
- 替代氢气炉进行芯片烧结的方法
- 本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金...
- 潘茹黄雒光潘仙玲程春红许洋
- 替代氢气炉进行芯片烧结的方法
- 本发明公开了一种替代氢气炉进行芯片烧结的方法，涉及硅半导体器件芯片的烧结方法技术领域。包括以下步骤：1）对硅片的背面进行金属化处理；2）当加热平台处于恒温时，将封装载体置于充满保护气的加热平台内进行预热；3）将进行背面金...
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- 文献传递
- Au-Al双金属键合可靠性分析被引量：6
- 2011年
- 键合是半导体器件生产过程中的关键工序,对器件的产品合格率和长期使用的可靠性影响很大。在半导体器件中Au-Al键合系统的失效现象屡有发生,但又不可避免的使用,因此Au-Al双金属键合的可靠性备受人们的关注。通过分析Au-Al双金属键合的失效机理,提出了Au-Al双金属键合的正确设计方法及工艺控制措施,给出了多个批次多个品种的Au-Al双金属键合的实际使用结果。研究表明,只要设计正确,采用有效的工艺控制措施,在结温150℃以下使用,采用Au-Al双金属的器件仍然可以应用在高可靠场所。
- 程春红许洋刘红兵
- 关键词：关键工序结温
- X射线照相发现的管壳缺陷分析
- 2011年
- 现在对半导体器件的可靠性要求越来越高,因此对器件的质量检测提出了严格的要求,为了能准确检测器件质量是否合格,使用X射线检测技术对器件进行无损检测。X射线对缺陷损伤做快速精确探测分析具有方便、直观等优点。对一例不常见的X射线照相检查发现的晶体管空洞缺陷进行了分析、试验,确定空洞是由管壳存在的问题引起的,提出了解决空洞问题的措施。说明了器件在筛选时进行X射线照相检查的必要性,可以将有缺陷的器件早期剔除,以保证器件的可靠性。
- 程春红潘茹
- 关键词：可靠性无损检测X射线
