李晓峰
- 作品数：131 被引量：84H指数：7
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- 相关领域：理学电子电信电气工程化学工程更多>>
- K_2Te日盲紫外阴极研究(英文)被引量：1
- 2014年
- 叙述了K2Te日盲紫外阴极的制作工艺并制作了K2Te日盲紫外阴极，测量了K2Te日盲紫外阴极的光谱响应、光谱反射率、光谱吸收率和250 nm波长激发条件下的荧光谱。与Cs2Te日盲紫外阴极相比较，K2Te日盲紫外阴极的光谱响应较低，而且光谱响应的峰值波长更短，长波截止波长也更短。K2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于215 nm，长波截止波长位于305 nm，而Cs2Te日盲紫外阴极光谱响应的峰值波长位于250 nm，长波截止波长位于323 nm。另外K2Te日盲紫外阴极的日盲特性更好，633 nm波长的光谱响应为10－6 mA/W的数量级，较Cs2Te日盲紫外阴极低一个数量级。光谱反射率的测量结果表明，K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状与Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率曲线形状相似，区别是整个光谱反射率曲线向短波方向移动，且波长越长，移动越大。另外K2Te日盲紫外阴极的光谱反射率在200～450 nm的波长范围内均高于Cs2Te日盲紫外阴极的光谱反射率，由此可推断出K2Te 紫外阴极的折射率高于Cs2Te 紫外阴极的折射率，并且波长越长，折射率差别越大。光谱吸收率的测量结果表明，K2Te 日盲紫外阴极的吸收率低于Cs2Te 紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高，光谱响应也越高，与光谱响应的测量结果相吻合。荧光谱的测试结果表明，在250 nm 波长激发条件下，在200～450 nm 的波长范围内，K2Te 紫外阴极的荧光弱于Cs2Te 紫外阴极的荧光，原因是K2Te 阴极的吸收率低于Cs2Te 紫外阴极的吸收率。光谱吸收率越高，荧光越强，这同样与光谱响应的测试结果相吻合。所以K2Te 日盲紫外阴极与Cs2Te 日盲紫外阴极相比，尽管光谱响应较低，但日盲特性更好，因此也可用作为日盲紫外探测器的紫外阴极。
- 李晓峰赵学峰陈其钧褚祝军黄建民
- 关键词：光谱响应吸收率荧光谱
- 紫外光电阴极光谱响应测试仪研制
- <正>本文介绍了紫外光电阴极光谱响应的测量原理,测试仪器的结构以及各组成部分的功能和参数要求。测量了三只紫外阴极样品的光谱响应。对三只紫外阴极样品的光谱响应曲线进行了分析,根据阴极光谱响应的高低以及光谱响应曲线的形状,确...
- 李晓峰
- 文献传递
- 超二代与三代像增强器低照度分辨力的比较被引量：8
- 2021年
- 比较了超二代像增强器和三代像增强器在不同照度下的分辨力。结果表明,增益、极限分辨力、信噪比以及调制传递函数相同的超二代像增强器和三代像增强器,当照度大于4.3×10^(-3) lx时,分辨力均为常数,均不随照度的变化而变化;当照度小于4.3×10^(-3) lx时,分辨力均不为常数,均随照度的降低而降低,并且超二代像增强器的分辨力均低于三代像增强器的分辨力,照度越低,差别越大。此外,当采用品质因子来比较像增强器的综合性能时,只能在相同光电阴极的像增强器之间进行比较,而不能在不同光电阴极的像增强器之间进行比较,即品质因子不能用来比较超二代像增强器和三代像增强器的性能。
- 李晓峰常乐赵恒邱永生陈俊宇张彦云
- 关键词：像增强器微通道板分辨力品质因子调制传递函数
- 一种日盲紫外像增强器带外光谱灵敏度测量装置及方法
- 本发明公开了一种日盲紫外像增强器带外光谱灵敏度测量装置及方法，以解决日盲紫外像增强器带外光谱灵敏度、特别是波长大于600nm光谱灵敏度的测量问题。本发明的测量装置包括：光源、单色仪、滤光片、暗箱、测试样品、测试夹具、阴极...
- 李晓峰常乐李永春陈超汤文梅张彦云
- 文献传递
- TiO2薄膜超精密抛光技术综述
- 2019年
- 高质量且表面粗糙度为纳米级的TiO2薄膜具有优良的光学减反作用,可作为像增强器输入窗的光学减反膜。化学机械抛光(CMP)技术是目前唯一可以实现全局化纳米级抛光的方法。要达到纳米级表面粗糙度,CMP技术的软硬件条件都十分重要。本文主要介绍了CMP技术的硬件条件,包括抛光机、抛光液和抛光垫,及其国内外技术对比,并介绍了目前国内TiO2薄膜CMP技术的研究现状。
- 龚燕妮赵伟林赵恒李廷涛李晓峰
- 关键词：化学机械抛光TIO2薄膜像增强器
- 一种钠铯锑双碱光电阴极的制作方法
- <b>本发明公开了一种钠铯锑双碱光电阴极的制作方法，主要用于弱光探测领域的光电倍增管、微光像增强器的光电阴极制造。主要技术特征：包含钠双碱光电阴极制作装置和主要操作步骤，如安装蒸发器、接通蒸发器电源、调节蒸发...
- 李晓峰赵学峰冯辉李金沙张勤东
- 透射式GaAs光电阴极荧光谱特性研究被引量：1
- 2013年
- 测量了透射式GaAs光电阴极四层、二层结构组件和三代像增强器光电阴极的荧光谱。激发光的波长分别为514.5 nm和785 nm。测量结果表明,GaAs外延层荧光谱的峰值波长较GaAs衬底荧光峰值波长长。当GaAs阴极四层结构组件变为二层结构组件时,GaAs发射层的荧光谱峰值波长向长波方向移动。将GaAs阴极二层结构组件减薄激活之后,GaAs阴极发射层的荧光谱峰值波长向短波方向移动。三代像增强器GaAs阴极组件在制作过程中荧光谱峰值波长变化的原因主要是GaAs发射层内部晶格存在应变,因此当四层GaAs阴极组件变为二层GaAs阴极组件之后,由于GaAs发射层内部晶格应变状态的变化,致使荧光谱的峰值波长向长波方向移动。当二层GaAs阴极组件经过减薄、热清洗和激活之后,由于GaAs发射层内部应力的释放,应变在一定程度上得到消除,因此GaAs发射层的荧光谱峰值波长又向短波方向移动。通常情况下,GaAs材料的荧光谱是一条高斯型的曲线,但对三代管GaAs阴极组件而言,当GaAs发射层中存在不均匀的晶格应变时,其荧光谱曲线在峰值附近会出现不规则的形状,而当不均匀的晶格应变消除后,荧光谱曲线会恢复到正常的形状。所以GaAs发射层中存在的应变会通过荧光谱反映出来,这样在GaAs光电阴极的制作过程中,除了通过测量积分光荧光来评价GaAs光电阴极的制作过程之外,还可以通过测量GaAs光电阴极荧光谱的峰值波长变化来监控GaAs光电阴极的制作过程。
- 李晓峰石峰冯刘
- 关键词：像增强器GAAS光电阴极荧光谱应力
- 一种有效直径为12mm的小型微光像增强管
- 本实用新型公开了一种有效直径为12mm的小型微光像增强管，主要用于作为小型微光夜视仪器中的核心器件。主要技术方案是：在有效直径为18mm的微光近贴式像增强管的基础上，A、阴极透镜、阴极盘的径向尺寸按比例缩小0.66倍后加...
- 李浩雷陈超张昆林陈雪侠李晓峰
- 文献传递
- 一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法
- 本发明公开一种测量材料二次电子发射系数的装置及方法，装置的特征在于：在真空室内沿真空室的中心轴z由上而下依次平行设置的电子枪、测试夹具和收集极；测试夹具上安有微通道板，微通道板包括输入端和输出端，输入端面朝电子枪；工作电...
- 李晓峰常乐曾进能李廷涛周善堃
- 文献传递
- 一种多碱光电阴极膜层厚度的测量系统
- 本发明公开了一种多碱光电阴极膜层厚度的测量系统，主要用于微光像增强器在真空状态下对其多碱光电阴极膜层厚度的测量。其主要技术方案是：在箱体内左边，安装一个光源，之后又安装一个单色器、分光器，在分光器上部设有反射镜，之后安装...
- 李晓峰杨文波李莉瞿利平
- 文献传递
