2025年4月4日
星期五
|
欢迎来到佛山市图书馆•公共文化服务平台
登录
|
注册
|
进入后台
[
APP下载]
[
APP下载]
扫一扫,既下载
全民阅读
职业技能
专家智库
参考咨询
您的位置:
专家智库
>
>
杨振
作品数:
11
被引量:0
H指数:0
供职机构:
北京大学
更多>>
相关领域:
自动化与计算机技术
电子电信
文化科学
医药卫生
更多>>
合作作者
杨玉超
北京大学
张腾
北京大学
黄如
北京大学
杨宇翔
北京大学
作品列表
供职机构
相关作者
所获基金
研究领域
题名
作者
机构
关键词
文摘
任意字段
作者
题名
机构
关键词
文摘
任意字段
在结果中检索
文献类型
10篇
专利
1篇
学位论文
领域
4篇
自动化与计算...
3篇
电子电信
2篇
文化科学
1篇
医药卫生
主题
4篇
电阻
4篇
存储器
3篇
底电极
3篇
沟道
3篇
沟道电阻
2篇
单晶
2篇
电路
2篇
电学
2篇
电学特性
2篇
电压
2篇
读写
2篇
选通
2篇
异或
2篇
阵列
2篇
树突
2篇
随机性
2篇
网络
2篇
逻辑功能
2篇
晶体管
2篇
混合集成电路
机构
11篇
北京大学
作者
11篇
杨振
10篇
杨玉超
8篇
黄如
8篇
张腾
3篇
杨宇翔
年份
3篇
2024
6篇
2023
1篇
2021
1篇
2014
共
11
条 记 录,以下是 1-10
全选
清除
导出
排序方式:
相关度排序
被引量排序
时效排序
一种可编程多时间尺度储备池计算单元及其操作方法
本发明公开了一种可编程多时间尺度储备池计算单元及其操作方法,通过采用电化学晶体管及其栅极的选通晶体管和可变负载电阻,实现了可调时间常数的储备池计算单元的构建。电化学晶体管电解质中的离子自发扩散的速率和栅极电流大小有关,通...
杨玉超
杨振
张腾
陶耀宇
黄如
一种基于忆阻器混合集成的人工异或型树突及其实现方法
本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元,实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点,将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信...
杨玉超
杨振
黄如
文献传递
一种读写可重构的忆阻器存算一体系统
本发明公开了一种读写可重构的忆阻器存算一体系统,包括由M×N个1T1R结构单元组成的忆阻器阵列,每一列设置一条字线WL和一条源线SL,每一行设置一条位线BL,WL与SL平行,而BL与WL和SL垂直;在1T1R结构单元中,...
杨玉超
岳文硕
张腾
杨振
杨宇翔
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管串联电阻精确提取及直流应力可靠性研究
随着半导体技术的不断发展,其在高速、高频、高压等应用领域的需求愈发强烈。GaN材料作为第三代半导体材料,具有禁带宽度宽、击穿电压高、化学和物理性质稳定、热导率高和耐腐蚀、抗辐射等优点。同时,由于GaN材料存在独特的自发极...
杨振
关键词:
晶体管
一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种能够保持循环间开关比的阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底及其上的底电极‑阻变层‑储氧层‑离子阻挡层‑顶电极叠层结构,其中离子阻挡层的厚度为1~5 nm,成分为MO<Sub>n</Sub>,M为特...
杨玉超
张腾
杨振
杨宇翔
岳文硕
黄如
基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法
本发明公开了一种基于电化学随机存取存储器的全并行向量外积计算操作方法,包括构建以电化学随机存取存储器及其栅极选通晶体管为基本单元的存储器阵列,以及相应的随机脉冲更新方法。其中,电化学随机存取存储器的电导变化与刺激脉冲数目...
杨玉超
杨振
路英明
陶耀宇
张腾
黄如
一种基于电化学掺杂的可调LIF神经元硬件单元
本发明公开了一种基于电化学掺杂的可调LIF神经元硬件单元,包括作为可调负载电阻的电化学随机存取存储器(ECRAM)和具有神经元发放功能的三端阈值开关器件,其中,ECRAM为三端存储器件,ECRAM和三端阈值开关器件之间通...
杨玉超
杨振
张腾
陶耀宇
黄如
基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备
本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层,在阻变介质层中引入局部单晶相,通过局部单晶相促进导电细丝的生...
杨玉超
杨振
张腾
黄如
一种基于忆阻器混合集成的人工异或型树突及其实现方法
本发明公开了一种基于忆阻器的混合集成电路单元,实现对异或型树突的核心功能模拟。本发明利用二极管的非线性、忆阻器RESET的电学特性以及晶体管的沟道电阻可调的特点,将三者进行串联实现异或型树突的“异或”逻辑以及模拟抑制性信...
杨玉超
杨振
黄如
基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备
本发明公开了一种基于局部单晶相的降低初始化电压的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器包括依次层叠的底部金属布线层、底电极、阻变介质层、顶电极和顶部金属布线层,在阻变介质层中引入局部单晶相,通过局部单晶相促进导电细丝的生...
杨玉超
杨振
张腾
黄如
全选
清除
导出
共2页
<
1
2
>
聚类工具
0
执行
隐藏
清空
用户登录
用户反馈
标题:
*标题长度不超过50
邮箱:
*
反馈意见:
反馈意见字数长度不超过255
验证码:
看不清楚?点击换一张