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温度和保温时间对合成氧氮化硅的影响: <正>以单质Si粉和SiO_2微粉为反应原料,在真空氮气炉中以高纯氮气保护,研究了反应温度(1400℃,1420℃,1440℃,1460℃,1480℃和1500℃)和保温时间(2h,3h和4h)对合成Si_2N_2O的影...; 聂建华文晋邱文冬赵伟尹国恒梁永和尹玉成徐超; 关键词：显微结构; 文献传递

高温氮化合成Si2N2O及其对耐火材料性能的优化研究: 氧氮化硅是一种优异的高温结构材料和耐火材料，氧氮化硅具有优异的抗氧化性、抗热震性、耐腐蚀性、抗蠕变性以及高温强度高、高致密度、低膨胀率等优良性能。氧氮化硅复合材料与氮化硅复合材料具有相似力学及热学性能，但是，氧氮化硅复合...; 文晋; 关键词：耐火材料抗氧化性显微结构; 文献传递

加入Si_2N_2O粉对MgO-SiC-C质耐火材料性能的影响被引量：1: 2015年; 为了改善 MgO－SiC－C 质耐火材料的性能，以 w（SiO2）＝99．70％的分析纯二氧化硅和 w（Si）＝96．16％的工业单质硅为原料，于1450℃高温氮化合成了 Si2 N2 O 粉。然后以质量分数分别为80％的电熔镁砂（5～3、3～1、≤1和0．075 mm）、15％的碳化硅（≤1、0．088 mm）、5％的鳞片石墨粉为原料，外加0．5％的金属铝粉和3％的单质硅粉为抗氧化剂，外加4．5％的热固性酚醛树脂作为结合剂，外加合成 Si2 N2 O 粉（质量分数为0、1％、3％和5％）制备了 MgO－SiC－C 质耐火材料。研究 Si2 N2 O 粉外加量对该材料性能及显微结构的影响。结果表明：加入适量 Si2 N2 O 粉可以改善试样的物理性能以及抗氧化性能；而其 Si2 N2 O 氧化分解产生的 SiO2填充于气孔会阻塞渣渗透的通道，从而提高了试样的抗渣性能。本试验条件下，Si2 N2 O 粉加入量为1％（w）时，MgO－SiC－C质耐火材料的各项性能最佳。; 文晋聂建华邱文冬梁永和赵伟尹国恒尹玉成徐超; 关键词：抗氧化性能抗渣性能

一种MgO-Si2N2O-C质耐火材料及其制备方法: 本发明涉及一种MgO‑Si2N2O‑C质耐火材料及其制备方法。其技术方案是：以65~85wt%的电熔镁砂、5~25wt%的氧氮化硅、2~10wt%的鳞片石墨、0.2~1.0wt...; 聂建华蔡曼菲梁永和尹玉成张寒王凌云文晋张国锬吴呈祝; 文献传递

温度和保温时间对合成氧氮化硅的影响被引量：2: 2015年; 以单质Si粉和SiO_2微粉为反应原料,在真空氮气炉中以高纯氮气保护,合成制备了Si_2N_2O。研究了反应温度(1400,1420,1440,1460,1480和1500℃)和保温时间(2,3,4和5 h)对合成Si_2N_2O的影响,利用XRD、SEM、EDX和TEM等手段对合成产物的相组成和形貌进行了表征。结果表明:反应温度为1460℃并保温3 h可以合成高纯的微米级片状和板状的Si_2N_2O,此时产物中Si:N:O非常接近于Si_2N_2O理论原子比2:2:1。; 聂建华文晋邱文冬赵伟尹国恒梁永和尹玉成徐超; 关键词：显微结构

一种合成氧氮化硅原料及其制备方法: 本发明涉及一种合成氧氮化硅原料及其制备方法。其技术方案是：先将50~60wt%的单质硅与40~50wt%的二氧化硅混合，在球磨机中球磨至粒度为4.5~6.5μm，得到球磨粉料。再将球磨粉料放入气氛炉中，在高纯氮气气氛中，...; 聂建华张国锬文晋梁永和邱文冬张寒尹玉成蔡曼菲; 文献传递

不同二氧化硅源对高温氮化反应合成氧氮化硅的影响: 以单质硅和不同的二氧化硅(SiO含量分别为99.70%、99.14%、97.67%、99.999%的分析纯二氧化硅粉、工业石英粉、SiO微粉、高纯石英玻璃粉)为原料于1460℃下通入高纯氮气高温反应合成SiNO,对合成的...; 聂建华姜晟文晋蔡曼菲梁永和尹玉成张寒; 文献传递

二氧化硅源对氮化反应合成氧氮化硅的影响被引量：3: 2017年; 以单质Si和不同的二氧化硅(Si O_2含量分别为99.999%的高纯石英玻璃、99.70%的分析纯二氧化硅、99.14%的工业石英、97.67%的微硅粉)为原料,于1460℃下高纯氮气中反应合成Si_2N_2O,用XRD、SEM和TEM等方法研究了合成产物的相组成和形貌特征。结果表明:不同的二氧化硅源高温氮化合成的试样中Si_2N_2O的含量均达到91%以上;合成的试样中Si_2N_2O的形貌均为柱状或片层状,合成试样中Si_2N_2O的各元素的原子比也接近Si_2N_2O的理论原子比。; 聂建华姜晟文晋蔡曼菲梁永和尹玉成

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