郭沫然
- 作品数:7 被引量:1H指数:1
- 供职机构:中国科学院微电子研究所更多>>
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- EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法
- 本发明公开了EUV的设计规则,光源和掩模的联合优化方法,包括:针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图;进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发...
- 郭沫然宋之洋韦亚一
- 文献传递
- 光源掩模协同优化方法
- 本发明提供了一种光源掩模协同优化方法,包括:输入初始参数;选择部分输入版图参与优化;进行光源掩模协同优化,得到满足光刻工艺条件的优化光源;调整掩模可制造性规则,重新进行版图优化;根据能否满足工艺条件,确定成本最低的掩模可...
- 宋之洋郭沫然韦亚一董立松于丽贤
- 一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法
- 本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法,包括:获得标准版图几何信息数据库,获得待匹配版图几何信息,将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配,根据匹配结果...
- 韦亚一宋之洋郭沫然颜永利董立松苏晓菁刘实
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- 一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法
- 本发明属于半导体制造技术领域,公开了一种基于版图几何特征匹配的光刻解决方案预测方法,包括:获得标准版图几何信息数据库,获得待匹配版图几何信息,将待匹配版图几何信息和标准版图几何信息数据库中的几何信息进行匹配,根据匹配结果...
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- EUV设计规则、光源和掩模的联合优化和成像建模方法
- 本发明公开了EUV的设计规则,光源和掩模的联合优化方法,包括:针对提供的EUV模型进行第一优化仿真并获取满足第一光刻工艺条件的光源和掩模版图;进行第二优化仿真并获取满足第二光刻工艺条件的最佳设计规则、光源和掩模版图。本发...
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- 光源掩模协同优化方法
- 本发明提供了一种光源掩模协同优化方法,包括:输入初始参数;选择部分输入版图参与优化;进行光源掩模协同优化,得到满足光刻工艺条件的优化光源;调整掩模可制造性规则,重新进行版图优化;根据能否满足工艺条件,确定成本最低的掩模可...
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- 一种离线光学邻近效应匹配方法的研究和仿真被引量:1
- 2015年
- 目前小技术节点的光学邻近效应校正(OPC)过分依赖光刻机与光刻工艺的属性,量产时难以在不同型号光刻机间转移,而国内芯片制造厂光刻机种类繁杂,不可避免地需要解决工艺转移的问题。针对上述问题,以不同光刻机间的光学邻近效应匹配为研究对象,阐述了匹配的原理及流程,提出了一种利用常用的OPC建模工具实现离线匹配的方法,模拟分析了该方法对成像误差的补偿效果,揭示了不同性质的误差对成像性能的影响规律,验证了该方法的正确性,为不同光刻机间的工艺转移提供了新的思路。
- 宋之洋郭沫然苏晓菁刘艳松粟雅娟韦亚一
- 关键词:光刻