王曦
- 作品数：18 被引量：30H指数：3
- 供职机构：华南理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程石油与天然气工程更多>>
- MOFs衍生Co基材料催化硝基苯选择性加氢
- 芳香族氨基化合物作为一类重要的有机中间体,是制备农药、染料、医药、天然色素以及荧光增白剂的重要原料.目前通过简单芳香硝基化合物的加氢来制备芳香氨基化合物己经大规模投入生产,而复杂芳香硝基化合物,如分子中含C=C、C=O ...
- 王曦李映伟
- 关键词：金属有机骨架钴硝基苯加氢
- 电厂烟气高效开采天然气水合物的装置及方法
- 本发明公开了电厂烟气高效开采天然气水合物的装置。该装置包括气体增压机、注入井、上覆地层、开采井、透平膨胀装置、膜分离装置和脱碳装置；所述气体增压机与注入井连接；所述开采井与透平膨胀装置、膜分离装置和脱碳装置顺次连接。采用...
- 樊栓狮王曦郎雪梅王燕鸿
- 文献传递
- CO2+N2混合气置换开采天然气水合物实验研究及过程模拟
- 利用CO2置换开采天然气水合物可以在开采天然气的同时封存CO2,置换过程CO2水合物的形成可以维持地层的稳定性从而避免海底滑坡等地质灾害。利用CO2置换开采时受CO2原料的限制,当前提出采用电厂烟气进行天然气水合物置换开...
- 王曦
- 关键词：天然气水合物CH4CO2能效
- 文献传递
- SiO_xN_y和SiO_2膜中的高场电子陷阱的温度依赖性和产生机理
- 1995年
- 研究了温度从１００～４２３Ｋ范围内在薄氮氧化硅膜和薄二氧化硅膜中的高场电子陷阱的温度依赖性。我们发现；在研究的温度范围内，当温度降低时，薄氮氧化硅膜中的有效高场电子陷饼表面浓度增加，相反，在薄二氧化硅膜中的有效高场电子陷阱表面浓度减少；对于二氧化硅膜，有效的高场电子陷阶能级集中在一个非常窄的能量范围，它的产生率是１．２８３×１０１１／ｃｍ２，激活能是０．１９２ｅＶ。根据实验结果，提出了一个在二氧化硅中的高场电子陷阱的产生模型。
- 杨炳良刘百勇王曦郑耀宗
- 关键词：氮氧化硅电子陷阱温度依赖性
- 一种天然气水合物沉积物含气率测定方法及装置
- 本发明公开了一种天然气水合物沉积物含气率测定方法及装置。所述装置包括手摇泵、进液漏斗、钢针、水合物样品、样品支架、样品罐、恒温水槽、气体流量计和储气袋；所述手摇泵与样品罐、气体流量计、储气袋顺次连接；所述钢针、水合物样品...
- 樊栓狮王曦时濛郎雪梅王燕鸿
- 金属—氮氧化硅—硅电容在本征击穿前的漏电特性
- 1993年
- 本文的实验结果表明,从6MV/cm到14MV/cm的外加电场范围内,在氮氧化硅膜的漏电机理与常规方法生长的氧化硅的不同。氮氧化硅膜漏电机理可分为三种。当电场小于8MV/cm时,漏电是由于注入电子的直接隧穿填充绝缘体中的浅陷阱而引起的。在高场范围(>10MV/cm)Fowler-Nordheim(FN)效应占支配地位。这些机理与介质膜的制备条件有关。在中等电场区域,注入电子能通过FN电流和直接隧穿到达能被填充的陷阱,从而使漏电流产生准态饱和。另一方面,随着氮化的继续,可观察到在漏电流一电压特性中的台阶和在电流的电场依赖性的逆转行为。
- 杨炳良王曦郑耀宗
- 关键词：漏电流氮氧化硅击穿
- 一种天然气水合物沉积物含气率测定方法及装置
- 本发明公开了一种天然气水合物沉积物含气率测定方法及装置。所述装置包括手摇泵、进液漏斗、钢针、水合物样品、样品支架、样品罐、恒温水槽、气体流量计和储气袋；所述手摇泵与样品罐、气体流量计、储气袋顺次连接；所述钢针、水合物样品...
- 樊栓狮王曦时濛郎雪梅王燕鸿
- 文献传递
- 不同封装的扩展电阻温度传感器瞬态热响应模型
- 1995年
- 研究了扩展电阻温度传感器的封装效应。对扩展电阻温度传感器封装热阻的测量和瞬态热响应分别进行了理论和实验研究。理论结果和实验结果吻合。实验和理论结果表明，管壳的几何形状比封装材料对传感器瞬态响应时间的影响更重要。对于要求高灵敏度和快速响应的传感器封装，小型和球型的封装方式总是被推荐的。实验发现，对于一个２ｍｍ直径的球形封装传感器的响应时间约６ｓ。
- 杨炳良刘百勇陈斗南杨春辉郑学仁王曦郑耀宗
- 关键词：温度传感器扩展电阻封装效应
- 一种畜禽粪便萃取脱水装置及方法
- 本发明公开了一种畜禽粪便萃取脱水装置及方法。该装置包括第一球形碾磨机、储料罐、多级转盘脱水塔、第一闪蒸罐、第一盘管、第一恒温水槽、第一储液罐、第二闪蒸罐、第二球形碾磨机、第二恒温水槽、第二盘管和第二储液罐；所述第一球形碾...
- 樊栓狮王曦郎雪梅王燕鸿
- 文献传递
- SiO_xN_y薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究被引量：3
- 1991年
- 本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的持续时间近似指数关系,几乎与样品被短路的时间无关。
- 杨炳良刘百勇郑耀宗王曦
- 关键词：电子陷阱
