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陈鑫

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：南京航空航天大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电荷
  • 1篇电荷分布
  • 1篇电荷转移
  • 1篇静电
  • 1篇静电作用
  • 1篇功函数
  • 1篇MOS
  • 1篇MOS2

机构

  • 1篇南京航空航天...

作者

  • 1篇颜晓红
  • 1篇陈鑫
  • 1篇肖杨

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Li掺杂少层MoS_2的电荷分布及与石墨和氮化硼片的比较
2015年
基于第一性原理计算,研究了Li掺杂的少层(1—3层)Mo S2的电荷分布,并与石墨片和BN片的电荷分布特征进行了比较.与石墨片和BN片相同的是:电荷转移的大部分只发生在Li与最靠近Li的第一层Mo S2之间.然而,第二层和第三层Mo S2也能获得10%的转移电荷,而石墨片和BN片的第二层和第三层得不到2%的电荷.结合静电能和功函数的分析可知,Mo S2、石墨片和BN片的电荷分布主要由层间的静电相互作用和功函数来决定.这些研究结果对于揭示具有多层结构的电荷分布特征及其电子器件的设计提供了理论支持.
陈鑫颜晓红肖杨
关键词：电荷转移功函数
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