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文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇等离子显示
  • 3篇信号
  • 3篇行扫描
  • 3篇芯片
  • 2篇等离子显示器
  • 2篇低电阻
  • 2篇低压管
  • 2篇电路
  • 2篇电平位移
  • 2篇电阻
  • 2篇信号处理
  • 2篇寻址
  • 2篇正极性
  • 2篇数字信号
  • 2篇数字信号处理
  • 2篇锁存
  • 2篇显示器
  • 2篇绝缘衬底
  • 2篇集成电路
  • 2篇寄生

机构

  • 14篇四川长虹电器...

作者

  • 14篇孙镇
  • 8篇黄光佐
  • 7篇黄勇
  • 5篇梁涛
  • 3篇罗波
  • 2篇廖红
  • 1篇杨晓胜
  • 1篇黄焕
  • 1篇章卫民
  • 1篇田海军
  • 1篇马赛

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2013
  • 2篇2012
  • 1篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
  • 3篇2008
  • 1篇2007
14 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
屏幕闪烁消除方法
本发明涉及计算机图像处理技术。本发明针对现有的图像动态对比度提升导致的屏幕闪烁的问题,公开了一种消除图像动态对比度提升带来的屏幕闪烁的消除方法。本发明的技术方案是,屏幕闪烁消除方法,包括下列步骤;a.设置计数器并初始化;...
孙镇
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带P型埋层的双栅SOI-LIGBT器件
本发明涉及一种半导体器件,其公开了一种新型的带P型埋层的双栅SOI-LIGBT器件,在保证耐压条件的情况下,增加器件的电流能力。在本发明中,通过增加P型埋层,并将隔离槽中的填充材质由传统中的体硅转换为填充多晶硅,将隔离槽...
孙镇黄勇
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采用自主开发会聚芯片的高能效背投彩电(PC-9机芯)
黄焕孙镇马赛章卫民佘玉松田海军杨晓胜
自主知识产权芯片产业化(该芯片研发项目于2006年通过科技部863项目验收,成本仅为进口同类芯片的10%;高能效优化了整机设计,降低了功能消耗;高可靠性设计了多方面保护电路;高效智能机芯调试技术。该产品技术水平国内领先,...
关键词:
一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法
本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案,该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制,同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容,能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带...
孙镇黄勇黄光佐梁涛
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语音电波表
本实用新型涉及钟表技术,提供了一种基于准确时间语音服务的语音电波表,其技术方案是,语音电波表,包括电波接收模块、处理器、按键模块及显示模块,所述电波接收模块与处理器连接,按键模块与处理器连接,显示模块与处理器连接,其特征...
黄勇孙镇
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一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法
本发明提供了一种改善等离子显示器EMI低频超标的行扫描芯片控制方法的技术方案,该方案利用对行扫描芯片的输出端进行分组控制,同时在低压管输入端加入钳位管和PN结电容,能够有效地降低在行扫描芯片高压并发动作的过程中由于穿通带...
孙镇黄勇黄光佐梁涛
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直线生成方法
本发明涉及计算机图形处理技术,特别涉及一种直线生成方法。本发明所要解决的技术问题是,提供一种新的直线生成方法,该方法不包括乘除运算,也没有浮点运算。采用的技术方案包括以下步骤:a.确定起点行坐标与纵坐标,终点行坐标与纵坐...
孙镇
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一种数字信号极性自动识别的方法
本发明涉及数字信号处理领域,尤其涉及一种数字信号极性自动识别的方法。本发明公开了一种实现简单可靠、成本低的数字信号极性自动识别的方法。其技术方案的要点是,该方法包括以下步骤:a.采样需要处理的数字信号;b.通过第一计数器...
孙镇黄光佐
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绝缘衬底上的硅基横向双扩散金属氧化物半导体器件
本发明涉及SOI基上横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。本发明针对现有技术SOI基LDMOS器件中,仅部分漂移区参与导电的问题,公开了一种SOI基横向双扩散金属氧化物半导体器件,利用漂移区n型杂质条和p型杂质条...
梁涛罗波孙镇廖红黄勇黄光佐
等离子显示屏行扫描芯片的驱动结构
本实用新型涉及等离子显示屏行扫描芯片的驱动结构。在行扫描芯片内设有96个分别具有1路输出通道的高压单元,每一高压单元里有一个输出下拉功率的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)和一个输出上拉功率的P型横向双扩散场效应晶体管...
孙镇黄勇黄光佐孟令峰
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共2页<12>
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