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王选芸
作品数:
12
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供职机构:
中国科学院微电子研究所
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相关领域:
一般工业技术
电子电信
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合作作者
金智
中国科学院微电子研究所
史敬元
中国科学院微电子研究所
张大勇
中国科学院微电子研究所
王少青
中国科学院微电子研究所
麻芃
中国科学院微电子研究所
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机构
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中国科学院微...
作者
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张大勇
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史敬元
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金智
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王选芸
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王少青
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麻芃
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彭松昂
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2018
4篇
2017
7篇
2015
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通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法,该方法包括:在石墨烯上沉积栅介质层,制备T型栅金属电极;沉积钝化保护层,利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...
麻芃
金智
史敬元
王少青
张大勇
王选芸
文献传递
一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法
本发明公开了一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法,该方法是将机械剥离得到的石墨烯结合于目标基底上,然后将结合有石墨烯的目标基底浸泡于有机溶剂四氢呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一种之中,溶解石墨烯表面的残胶,...
金智
彭松昂
史敬元
王少青
王选芸
张大勇
文献传递
一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法
本发明公开了一种将金属铜表面化学气相沉积的石墨烯向目标衬底表面转移的方法,属于材料技术领域。该方法首先通过化学气相沉积方法在铜箔表面生长得到石墨烯,然后以铜箔作为阳极,玻碳片作为阴极,硫酸铜的琼脂凝胶作为固体电解质,利用...
张大勇
金智
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一种将金属铜表面CVD的石墨烯向目标衬底表面转移的方法
本发明公开了一种将金属铜表面化学气相沉积的石墨烯向目标衬底表面转移的方法,属于材料技术领域。该方法首先通过化学气相沉积方法在铜箔表面生长得到石墨烯,然后以铜箔作为阳极,玻碳片作为阴极,硫酸铜的琼脂凝胶作为固体电解质,利用...
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一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法
本发明公开了一种将石墨烯从金属表面向目标衬底表面无损转移的方法,包括:在金属铜表面生长石墨烯;在石墨烯表面涂覆PMMA薄膜,将铜基底漂浮于蚀刻剂溶液表面腐蚀去除铜得到PMMA/石墨烯复合薄膜;将通过摩擦带有静电的PET薄...
张大勇
金智
史敬元
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一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种采用自对准工艺制作石墨烯场效应晶体管器件的方法,该方法包括:在石墨烯上沉积栅介质层,制备栅金属电极;沉积钝化保护层,利用选择性刻蚀去除栅介质层上方的钝化保护层而只保留栅金属电极侧墙部分的钝化保护层;对栅介...
麻芃
金智
史敬元
张大勇
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通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法
本发明公开了一种通过自对准工艺制备石墨烯顶栅场效应晶体管器件的方法,该方法包括:在石墨烯上沉积栅介质层,制备T型栅金属电极;沉积钝化保护层,利用选择性刻蚀去除栅介质上方覆盖的钝化保护层而保留T型栅金属电极足部侧墙部分的钝...
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可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法
本发明公开了一种可控清除石墨烯-金属接触区域残留光学光刻胶的方法,包括:在石墨烯表面白组装一层有机层,再沉积一层无机层作为石墨烯的双层保护层;在石墨烯的双层保护层之上旋涂一层光刻胶,对光刻胶进行曝光、反转、泛曝及显影操作...
金智
彭松昂
史敬元
王少青
王选芸
张大勇
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一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法
本发明公开了一种对机械剥离石墨烯表面进行原子级清洁处理的方法,该方法是将机械剥离得到的石墨烯结合于目标基底上,然后将结合有石墨烯的目标基底浸泡于有机溶剂四氢呋喃、甲苯、丁酮或乙酸乙酯的至少一种之中,溶解石墨烯表面的残胶,...
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张大勇
无残留光学光刻胶石墨烯FET的制备及原位表征方法
本发明公开了一种无残留光学光刻胶石墨烯场效应晶体管的制备及原位表征方法,其中制备方法包括:将生长的石墨烯转移至半导体衬底表面,在石墨烯表面旋涂光学光刻胶,对石墨烯进行光刻,得到图形化的石墨烯;将图形化的石墨烯再次浸入显影...
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