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闫伟超

作品数：6 被引量：2H指数：1
供职机构：浙江大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇非晶
  • 3篇氧化物薄膜
  • 3篇迁移
  • 3篇迁移率
  • 3篇半导体
  • 2篇氧化物
  • 2篇氧化物半导体
  • 2篇乙酰
  • 2篇乙酰丙酮
  • 2篇载流子
  • 2篇室温条件
  • 2篇晶态
  • 2篇开关比
  • 2篇溅射
  • 2篇非晶态
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇旋涂
  • 1篇载流子浓度
  • 1篇射频磁控

机构

  • 6篇浙江大学

作者

  • 6篇闫伟超
  • 5篇吕建国
  • 5篇叶志镇
  • 5篇孙汝杰
  • 4篇江庆军
  • 2篇杨振辉
  • 2篇冯丽莎
  • 1篇陈凌翔

传媒

  • 1篇材料科学与工...

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
文献传递
一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种透明非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法以及作为沟道层在薄膜晶体管（TFT）中的应用。该氧化物的化学式为Ti<Sub>x</Sub>ZnSnO<Sub>2x+3</Sub>，其中0.02≤x≤0.06。室温条...
吕建国孙汝杰江庆军闫伟超冯丽莎叶志镇
文献传递
用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法
本发明公开了用作薄膜晶体管沟道层的非晶氧化物薄膜及其制备方法，所述非晶氧化物薄膜化学式为Zn<Sub>4</Sub>Al<Sub>x</Sub>Sn<Sub>7</Sub>O<Sub>1.5x+18</Sub>(0≦x≦...
吕建国江庆军孙汝杰闫伟超杨振辉叶志镇
文献传递
α-NbZnSnO薄膜的制备与表征及其在薄膜场效应晶体管中的应用
进入21世纪以来，随着人类社会信息化程度不断加深，超薄、高清、大屏、节能和透明先进显示技术显得尤为重要，甚至已经成为一个国家战略性高新科技产业基础。目前工业中广泛采用的a-Si（非晶硅）和LTPS（低温多晶硅）材料分别存...
闫伟超
关键词：半导体材料晶体管器件
文献传递
一种非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种透明非晶氧化物半导体薄膜及其制备方法以及作为沟道层在薄膜晶体管（TFT）中的应用。该氧化物的化学式为Ti<Sub>x</Sub>ZnSnO<Sub>2x+3</Sub>，其中0.02≤x≤0.06。室温条...
吕建国孙汝杰江庆军闫伟超冯丽莎叶志镇
Nb-Zn-Sn-O非晶薄膜的生长与性能被引量：2
2015年
采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-ZnSn-O(NZTO)薄膜。研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80%以上的薄膜。
闫伟超孙汝杰陈凌翔吕建国叶志镇
关键词：磁控溅射非晶态
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