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徐强

作品数：19 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇中文专利

主题

  • 10篇半导体
  • 10篇半导体器件
  • 9篇栅极
  • 7篇阻挡层
  • 5篇金属栅
  • 5篇金属栅极
  • 5篇衬底
  • 4篇退火
  • 3篇硼元素
  • 3篇热退火
  • 3篇界面层
  • 3篇介质层
  • 3篇扩散阻挡层
  • 3篇沟槽
  • 3篇光刻
  • 3篇高K材料
  • 3篇钨
  • 2篇淀积
  • 2篇虚设
  • 2篇应力

机构

  • 19篇中国科学院微...

作者

  • 19篇徐强
  • 14篇赵超
  • 11篇李俊峰
  • 10篇王桂磊
  • 10篇杨涛
  • 5篇殷华湘
  • 5篇熊文娟
  • 3篇闫江
  • 3篇张永奎
  • 3篇洪培真
  • 2篇刘金彪
  • 2篇尹海洲
  • 2篇李春龙
  • 2篇罗军
  • 2篇刘青
  • 2篇王垚
  • 2篇秦长亮
  • 1篇贺晓彬
  • 1篇朱慧珑
  • 1篇崔虎山

年份

  • 1篇2019
  • 5篇2018
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 6篇2015
  • 3篇2014
共 19 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片Fin；对所述Fin的关键尺寸进行测量；根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异，查找预先获得的不同退火工艺对硅的消...
徐强熊文娟张永奎殷华湘
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FinFet器件源漏区的形成方法
本发明提供了一种FinFet器件源漏区的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍；在鳍的源漏区域进行离子注入；覆盖鳍的源漏区域以形成界面层，鳍顶部的界面层的厚度大于鳍侧面的界面层的厚度；进行热退火；去除界面层。由于杂质...
刘金彪徐强熊文娟李春龙李俊峰刘青王垚
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半导体器件制造方法
本发明提供了一种半导体器件制造方法，在CMOS后栅工艺的双应变应力层的集成工艺中，在打开虚设栅极之后、形成栅极凹槽之前，采用氮等离子体，对暴露的部分张应力层进行处理，使得张应力层在随后的腐蚀工艺中不被去除，避免了器件性能...
秦长亮徐强洪培真殷华湘尹海洲李俊峰赵超
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一种半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺，在扩散阻挡层上形成填满栅沟槽的钨层，所述扩散阻挡层阻挡形成...
王桂磊赵超徐强杨涛
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半导体器件及其制造方法
一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成栅极绝缘层、栅极导电层；在栅极导电层上形成TiN或者WN材质的阻挡层；采用ALD法淀积金属W层，进一步包括：步骤a1，交替通入SiH<Sub>4</...
王桂磊赵超徐强
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一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层...
王桂磊赵超徐强陈韬杨涛李俊峰
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一种衬底翘曲度的调整方法
本申请公开一种衬底翘曲度的调整方法。该方法包括：获得衬底的翘曲度，其中，所述衬底的第一表面上形成有第一薄膜；判断所述衬底的翘曲度的绝对值是否大于或等于翘曲度阈值；若是，则在所述衬底的第二表面上形成调整薄膜，使所述衬底的翘...
徐强杨涛贺晓彬
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半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成伪栅极堆叠结构；在衬底中伪栅极堆叠结构两侧形成源漏区，并且在衬底上伪栅极堆叠结构两侧形成栅极侧墙；去除伪栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；在栅极沟槽中依次形成界面层、栅极绝...
王桂磊杨涛徐强闫江李俊峰赵超
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一种半导体器件的制造方法
本发明提供了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：在衬底上形成栅沟槽；在栅沟槽中形成栅介质层以及其上的金属栅极层；在金属栅极层表面上形成扩散阻挡层；采用ALD工艺填充钨层，具体步骤为：通过交替进行第一反应和第二反应填充钨层...
王桂磊赵超徐强陈韬杨涛李俊峰
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控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法
本申请公开一种控制鳍式场效应晶体管器件鳍片尺寸的方法。该方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成鳍片Fin；对所述Fin的关键尺寸进行测量；根据所述Fin的关键尺寸与Fin的规格要求的差异，查找预先获得的不同退火工艺对硅的消...
徐强熊文娟张永奎殷华湘
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