徐少平
- 作品数：5 被引量：17H指数：3
- 供职机构：广东工业大学机电工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：机械工程电子电信更多>>
- 基于芬顿反应的单晶SiC集群磁流变化学复合抛光研究
- 作为第三代半导体材料的SiC因具有导热能力强、介电常数小、抗辐射能力强以及良好的化学稳定性等特点，在LED照明、宇航、汽车电子、计算机芯片等方面具有良好的应用前景。对于SiC晶片而言，要求其表面超光滑、无缺陷，但由于单晶...
- 徐少平
- 关键词：芬顿反应复合抛光
- 一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及其方法
- 本发明公开了一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及方法。测试装置包括CNC机床主轴、压电式传感器、测针、抛光盘、磁性体、集群磁流变抛光垫，测针安装在微型压电式传感器上，压电式传感器安装在CNC机床主轴上，压电式传感器的受力感...
- 阎秋生白振伟徐少平陈建新
- 文献传递
- 单晶SiC化学机械抛光液的固相催化剂研究被引量：12
- 2017年
- 针对单晶Si C化学机械抛光使用的抛光液,研究了产生芬顿反应Fe、Fe O、Fe_2O_3、Fe_3O_4等4种铁系固相催化剂的效果。结果发现当Fe_3O_4作为催化剂时,Si C表面能够产生明显的化学反应,生成较软易去除的Si O_2氧化层,化学机械抛光时材料去除率最高达到17.2 mg/h、表面粗糙度最低达到R_a2.5 nm。相比Fe、Fe O、Fe_2O_3等固相催化剂,Fe_3O_4更适宜用作Si C的化学机械抛光。抛光液中Fe^(2+)离子浓度和稳定性是决定芬顿反应速率和稳定性的重要因素,固相催化剂电离自由Fe^(2+)能力的差异直接影响了化学抛光液中的Fe^(2+)浓度,固相催化剂电离Fe^(2+)的能力越强,抛光液中Fe^(2+)浓度就越高,芬顿反应速率越快,与Si C进行化学反应速度越快,材料去除率越高,抛光质量越好。
- 徐少平路家斌阎秋生宋涛潘继生
- 关键词：化学机械抛光芬顿反应
- 一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及其方法
- 本发明公开了一种集群磁流变抛光垫性能测试装置及方法。测试装置包括CNC机床主轴、压电式传感器、测针、抛光盘、磁性体、集群磁流变抛光垫，测针安装在微型压电式传感器上，压电式传感器安装在CNC机床主轴上，压电式传感器的受力感...
- 阎秋生白振伟徐少平陈建新
- 文献传递
- 单晶SiC化学机械抛光液化学反应参数研究被引量：6
- 2017年
- 选择影响化学机械抛光化学反应速率的参数:催化剂浓度、氧化剂浓度、抛光液的pH值、抛光液温度等进行了试验,研究了它们对基于芬顿反应的单晶SiC化学机械抛光效果的影响规律。发现只有当H_2O_2浓度高于20%、Fe_3O_4浓度高于1.25%时,增大H_2O_2、Fe_3O_4浓度,材料去除率才会显著越高,此时材料去除速率由化学液腐蚀速度与磨料机械去除速度共同决定;低于此范围时由磨料的机械作用决定。温度升高会加速H_2O_2分解,抑制羟基自由基·OH的生成,减缓化学腐蚀,降低材料去除率。当Fe_3O_4浓度、H_2O_2浓度、pH值、抛光液温度分别为1.25%、15%、7、41℃时,化学腐蚀与机械去除的协调性及磨料的分散性较好,表面粗糙度最低;当它们分别为5%、25%、9.3、15℃时,材料去除率最高。
- 阎秋生徐少平路家斌宋涛
- 关键词：化学机械抛光芬顿反应材料去除率表面粗糙度
