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董良
作品数:
21
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供职机构:
西安电子科技大学
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相关领域:
自动化与计算机技术
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合作作者
杜锴
西安电子科技大学
代波
西安电子科技大学
郑雪峰
西安电子科技大学
郝跃
西安电子科技大学
马晓华
西安电子科技大学
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作者
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郑雪峰
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代波
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2020
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10篇
2014
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一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于有机介质的高性能AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有...
冯倩
代波
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张春福
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一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于复合偶极层的AlGaN/GaN HEMT开关器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极...
冯倩
董良
代波
杜锴
郑雪峰
杜鸣
张春福
马晓华
郝跃
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一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上设有源极、钝化...
冯倩
董良
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杜锴
陆小力
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一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于偶极子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法,自下而上依次包括衬底,GaN缓冲层,AlN隔离层、GaN沟道层,AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层...
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一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设...
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一种基于栅结构的增强型AlGaN/GaN HEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于Γ栅结构的增强型AlGaN/GaNHEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源极、...
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一种基于偶级子层浮栅结构的增强型AlGaNGaNMISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于偶级子层浮栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法,自下而上依次包括衬底,GaN缓冲层,AlN隔离层、GaN沟道层,AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层...
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一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法
本发明公开了一种基于槽栅结构的增强型AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上依次设...
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一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于极化效应的高性能AlGaN/GaN HEMT高压器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层和AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有...
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一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及制作方法
本发明公开了一种基于偶极层的高压AlGaN/GaN MISHEMT器件结构及其制作方法,从下往上依次包括衬底、GaN缓冲层、AlN隔离层、GaN沟道层、AlGaN本征层、AlGaN掺杂层,所述AlGaN掺杂层上间隔设有源...
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