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文献类型

  • 12篇中文专利

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇文化科学
  • 1篇理学

主题

  • 6篇探测器
  • 4篇晶格
  • 4篇红外
  • 4篇红外探测
  • 4篇红外探测器
  • 4篇超晶格
  • 4篇衬底
  • 2篇点阵常数
  • 2篇堆叠
  • 2篇制冷
  • 2篇制冷机
  • 2篇入射
  • 2篇入射角
  • 2篇生产效率
  • 2篇束流
  • 2篇双波段
  • 2篇探测器材料
  • 2篇梯度掺杂
  • 2篇量子效率
  • 2篇冷机

机构

  • 12篇中国电子科技...

作者

  • 12篇尚林涛
  • 10篇邢伟荣
  • 10篇周朋
  • 8篇刘铭
  • 3篇周立庆
  • 2篇王经纬
  • 2篇巩锋
  • 2篇折伟林
  • 1篇程鹏

年份

  • 3篇2022
  • 3篇2020
  • 1篇2019
  • 1篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2014
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法,用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括:根据响应波长的范围,设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数;制作锑化铟衬底;根据设定的参数生长锑化...
刘铭程鹏周朋尚林涛邢伟荣
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一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛周朋
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一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
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一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法,本发明的红外探测器结构设计简单,容易实现,其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运,而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由...
尚林涛邢伟荣
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一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法,本发明的红外探测器结构设计简单,容易实现,其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运,而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由...
尚林涛邢伟荣
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束流比例检测方法及检测设备
本发明公开了一种束流比例检测方法及检测设备。束流比例检测方法包括:检测第一束流的生长速率v<Sub>1</Sub>,检测第二束流的生长速率v<Sub>2</Sub>,计算第一束流与第二束流的有效吸附束流比例N,N=v<S...
尚林涛邢伟荣周朋刘铭王经纬
一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法
本发明公开了一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法,其中,该方法包括:在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb;在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yML...
邢伟荣刘铭尚林涛周朋巩锋周立庆
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一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛周朋
一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法,本发明通过利用所设计的nBin或pB’ip结构,结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出InSb高温工作材料,本身工艺的操作性强,而且可以借鉴成熟InSb器件...
刘铭周朋邢伟荣尚林涛周立庆
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共2页<12>
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