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尚林涛
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中国电子科技集团第十一研究所
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相关领域:
电子电信
文化科学
理学
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合作作者
周朋
中国电子科技集团第十一研究所
邢伟荣
中国电子科技集团第十一研究所
刘铭
中国电子科技集团第十一研究所
周立庆
中国电子科技集团第十一研究所
折伟林
中国电子科技集团第十一研究所
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作者
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尚林涛
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周朋
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一种红外探测器材料及其制备方法
本发明提供一种红外探测器材料及其制备方法,用以解决现有技术中降低锑化铟材料暗电流较为困难的问题。该方法包括:根据响应波长的范围,设定铟铝锑层中铝组分的参数、厚度、异质结的排布的参数;制作锑化铟衬底;根据设定的参数生长锑化...
刘铭
程鹏
周朋
尚林涛
邢伟荣
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一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛
周朋
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋
刘铭
折伟林
邢伟荣
尚林涛
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一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法,本发明的红外探测器结构设计简单,容易实现,其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运,而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由...
尚林涛
邢伟荣
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一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置,所述方法具体包括以下步骤:在InSb衬底上生长InAlSb薄膜,测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋
刘铭
折伟林
邢伟荣
尚林涛
一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法
本发明公开了一种中/长波红外双波段超晶格红外探测器及其制备方法,本发明的红外探测器结构设计简单,容易实现,其中M结构SL势垒结构可有效阻挡两个吸收层中大多数空穴载流子暗电流输运,而近零导带偏差几乎不会影响光生少子电子自由...
尚林涛
邢伟荣
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束流比例检测方法及检测设备
本发明公开了一种束流比例检测方法及检测设备。束流比例检测方法包括:检测第一束流的生长速率v<Sub>1</Sub>,检测第二束流的生长速率v<Sub>2</Sub>,计算第一束流与第二束流的有效吸附束流比例N,N=v<S...
尚林涛
邢伟荣
周朋
刘铭
王经纬
一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法
本发明公开了一种梯度掺杂的Ⅱ类超晶格材料及其制备方法,其中,该方法包括:在具有缓冲层的GaSb衬底上生长N型下电极层xMLInAs/yMLGaSb;在生长了N型下电极层上继续生长N型梯度掺杂超晶格层xMLInAs/yML...
邢伟荣
刘铭
尚林涛
周朋
巩锋
周立庆
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一种中波双色红外探测器
本发明公开了一种中波双色红外探测器,包括:衬底,第一PIN型结构和第二PIN型结构;其中,所述第一PIN型结构生长在所述衬底上,所述第二PIN型结构与所述第一PIN型结构呈背靠背堆叠设置。本发明通过第二PIN型结构与第一...
尚林涛
周朋
一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法
本发明公开了一种InSb基高温工作红外探测器材料及其制备方法,本发明通过利用所设计的nBin或pB’ip结构,结合分子束外延多层膜技术的优点可以制备出InSb高温工作材料,本身工艺的操作性强,而且可以借鉴成熟InSb器件...
刘铭
周朋
邢伟荣
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