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刘锦峰

作品数:30 被引量:6H指数:1
供职机构:中国科学院上海硅酸盐研究所更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程电气工程航空宇航科学技术更多>>

文献类型

  • 27篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 5篇一般工业技术
  • 2篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇航空宇航科学...
  • 1篇理学

主题

  • 12篇
  • 10篇压电
  • 10篇晶体
  • 10篇
  • 10篇
  • 7篇单晶
  • 7篇单晶材料
  • 6篇四方相
  • 6篇弛豫
  • 5篇电晶体
  • 5篇电性能
  • 5篇压电晶体
  • 5篇钛酸铅
  • 5篇极化处理
  • 4篇压电性
  • 4篇压电性能
  • 4篇预烧
  • 4篇三元系
  • 4篇籽晶
  • 4篇坩埚下降法

机构

  • 30篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 30篇刘锦峰
  • 28篇许桂生
  • 19篇杨丹凤
  • 11篇刘莹
  • 11篇朱秀
  • 10篇陈夏夏
  • 6篇田彦锋
  • 4篇黄向阳
  • 4篇陈立东
  • 1篇李菲
  • 1篇田彦峰

传媒

  • 1篇空间科学学报
  • 1篇中国材料进展

年份

  • 1篇2022
  • 2篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 5篇2017
  • 6篇2016
  • 2篇2015
  • 6篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2011
30 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法
本发明公开了一种四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法,其化学式为xPb(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3</Sub>‑yPb(In<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>...
刘锦峰许桂生杨丹凤刘莹
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压电单晶及其生长方法
本发明公开了一种新型压电单晶及其生长方法,所述压电单晶的化学式为xBiAlO<Sub>3</Sub>-(1-x)PbTiO<Sub>3</Sub>,其中0﹤x﹤1。其具有居里温度高、性能优异、原材料成本低等优点。所述压电...
刘锦峰许桂生杨丹凤刘莹
文献传递
一种钴酸铅热电材料及其制备方法
本发明提供了一种具有较高ZT值的钴酸铅热电材料,化学组成为Pb<Sub>x</Sub>CoO<Sub>2</Sub>,其中0.1≤x≤1.0,Pb<Sub>x</Sub>CoO<Sub>2</Sub>属于六方晶体,空间群...
刘锦峰黄向阳杨丹凤许桂生陈立东
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CsI(Eu)晶体空间生长地面实验被引量:1
2016年
人工晶体在高技术领域具有十分重要的应用.在多组分晶体生长过程中,由于分凝的存在,会导致成分沿晶体生长方向产生变化,从而影响到晶体性能的均匀性,对应用产生不利影响.为研究微重力对多组分晶体分凝的影响,利用天宫二号卫星进行空间晶体生长实验.结合晶体生长特性和天宫二号综合材料实验装置的技术条件,确定以铕掺杂CSI晶体为研究对象.在地面研制阶段,CSI(Eu)晶体样品顺利通过力学环模试验,并在地面实验中生长出质量较高的CSI晶体,样品中存在明显的组分分凝.
刘锦峰许桂生朱秀田彦峰
关键词:微重力
一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法
本发明涉及一种四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的制备方法,所述四方相钛镁酸铋-钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1-&lt;i&gt;x&lt;/i&gt;)Bi(Mg<Sub>1/2</Sub>Ti<Sub>1/2</S...
刘锦峰许桂生杨丹凤陈夏夏
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一种适用于压电单晶材料的极化方法
本发明提供一种适用于压电单晶材料的极化方法,具备分区步骤和极化步骤,分区步骤中,将环形的材料均等分割为若干区域,并使分割后的各区域在上下表面上形成导电电极,且相邻区域具有相反的压电性能符号,极化步骤中,选择一个以上压电性...
刘锦峰许桂生朱秀陈梅林
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三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法
本发明公开了一种三元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法,其化学式为xPb(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3</Sub>‑yBiAlO<Sub>3</Sub>‑(1‑x‑y)P...
刘锦峰许桂生杨丹凤刘莹
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铌酸钾钠基无铅压电单晶的生长方法
本发明公开了一种生长铌酸钾钠(K<Sub>x</Sub>Na<Sub>1-x</Sub>)<Sub>1-y</Sub>Li<Sub>y</Sub>NbO<Sub>3</Sub>基无铅压电单晶的方法,包括:称取原料粉末;称...
刘莹许桂生刘锦峰杨丹凤
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四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法
本发明公开了一种四元系弛豫型压电单晶材料及其生长方法,其化学式为xPb(Mg<Sub>1/3</Sub>Nb<Sub>2/3</Sub>)O<Sub>3</Sub>-yPb(In<Sub>1/2</Sub>Nb<Sub>...
刘锦峰许桂生杨丹凤刘莹
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适用于高温领域的四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶及其制备方法
本发明涉及一种适用于高温领域的四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶及其制备方法,所述四方相钛镁酸铋‑钛酸铅基压电单晶的组成化学式为(1‑<I>x</I>)Bi(Mg<Sub>1/2</Sub>Ti<Sub>1/2</Sub>...
刘锦峰许桂生杨丹凤陈夏夏
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共3页<123>
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