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聂鹏飞

作品数：4 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 4篇中文专利

主题

  • 2篇导电
  • 2篇导电材料
  • 2篇电极
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇静电
  • 2篇静电力
  • 2篇开关
  • 2篇机械开关
  • 2篇薄层
  • 1篇单晶
  • 1篇小尺寸
  • 1篇漏电
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米带
  • 1篇纳米孔
  • 1篇金属
  • 1篇金属电极
  • 1篇金属连线
  • 1篇晶界

机构

  • 4篇中国科学院微...

作者

  • 4篇粟雅娟
  • 4篇聂鹏飞
  • 3篇朱慧珑
  • 3篇杨杰
  • 1篇赵超

年份

  • 1篇2016
  • 3篇2014
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
微纳尺度静电力开关及其制造方法
本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，...
聂鹏飞朱慧珑粟雅娟贾昆鹏杨杰
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石墨烯测序器件及其制造方法
本发明公开了一种石墨烯测序器件，包括：位于衬底上的绝缘层；位于绝缘层上的石墨烯纳米带，具有晶界；位于石墨烯纳米带中的纳米孔，其中纳米孔与晶界共同构成石墨烯电极；以及位于纳米孔两侧的石墨烯纳米带上的金属电极。依照本发明的石...
贾昆鹏粟雅娟聂鹏飞
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微纳尺度静电力开关及其制造方法
本发明公开了一种微纳尺度静电力开关，包括：衬底，包括绝缘层与背电极；源电极与漏电极，位于衬底上，沿第一方向排列；支撑电极，位于衬底上，沿第二方向排列；石墨烯层，位于支撑电极上并与其电连接；源漏电极连接层，沿第一方向延伸，...
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互连结构及其制造方法
本发明公开了一种互连结构，包括：位于衬底上的下层布线结构；位于下层布线结构上的屏蔽层，其中屏蔽层包括石墨烯；位于屏蔽层上的上层布线结构。依照本发明的互连结构及其制造方法，采用石墨烯这种单晶薄层导电材料作为上下层金属连线之...
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