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朱昊

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

主题

  • 8篇晶体管
  • 8篇场效应
  • 8篇场效应晶体管
  • 7篇逻辑器件
  • 5篇电路
  • 4篇电极
  • 4篇电路应用
  • 4篇掩膜
  • 4篇掩膜版
  • 4篇金属
  • 2篇异质结
  • 2篇有源
  • 2篇栅介质
  • 2篇开关比
  • 2篇空间电荷区
  • 2篇集成电路
  • 2篇隔离区
  • 2篇沟道
  • 2篇错型
  • 2篇N

机构

  • 11篇北京大学

作者

  • 11篇黄如
  • 11篇吴春蕾
  • 11篇黄芊芊
  • 11篇朱昊
  • 7篇王阳元
  • 7篇王佳鑫
  • 4篇赵阳
  • 4篇廖怀林
  • 4篇叶乐

年份

  • 5篇2017
  • 4篇2015
  • 2篇2014
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的...
黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元
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一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫朱昊王阳元
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一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...
黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳
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一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法
本发明公开一种嵌入层异质结隧穿场效应晶体管及其制备方法，属于CMOS超大规模集成电路(ULSI)中场效应晶体管逻辑器件领域。该嵌入层异质结隧穿场效应晶体管的垂直沟道区的两侧分别设有控制栅，该控制栅为L型结构，两个控制栅与...
黄如吴春蕾黄芊芊王佳鑫朱昊王阳元
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一种隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工...
黄如黄芊芊廖怀林叶乐吴春蕾朱昊王阳元
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阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法
一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介...
黄如王佳鑫黄芊芊吴春蕾朱昊赵阳
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一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管及其制备方法
一种双层石墨烯隧穿场效应晶体管，底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介质层的上方，金属源电极和金属漏电极分别在双层石墨烯有源区的两端，且各覆盖部分双层石墨烯有源区，金属源电极与金属漏电极选取不同材料，对...
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基于深N阱工艺隔离隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种基于深N阱工艺来隔离隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。该方法有效利用了标准CMOS IC工艺中现有的工艺，采用深N阱以及STI区注入N阱的...
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阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管及其制备方法
一种阶梯栅介质双层石墨烯场效应晶体管，包括一个底栅电极、一个底栅介质层、一个双层石墨烯有源区、一个金属源电极、一个金属漏电极、一个阶梯顶栅介质层和一个顶栅电极；所述底栅介质层位于底栅电极的上方，双层石墨烯有源区位于底栅介...
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一种隧穿场效应晶体管的制备方法
本发明公开了一种带隔离的隧穿场效应晶体管的制备方法，属于CMOS超大集成电路(ULSI)中的场效应晶体管逻辑器件与电路领域。在该方法中，采用相对高阻的p型硅片直接用作TFET器件的沟道区和体区，且相比标准CMOS IC工...
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