张浩然
- 作品数：20 被引量：4H指数：1
- 供职机构：华北电力大学更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术建筑科学环境科学与工程更多>>
- 源极引线方式对碳化硅MOSFET功率循环老化特性影响的研究
- 功率循环测试是评估功率半导体器件可靠性的主要方法,通过加速老化的方式,在较短的时间内激发功率半导体器件的可靠性缺陷。而碳化硅MOSFET作为最有希望替代硅基功率器件的第三代宽禁带半导体器件,具有高压、高频、高温和低损耗的...
- 张浩然
- 一种多器件并联功率模块的布局电路板
- 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第...
- 赵斌 柯俊吉张浩然赵志斌
- 文献传递
- 高温功率循环测试装置及测试方法
- 本申请提供的一种高温功率循环测试装置及测试方法，包括：电源单元，旁路单元，多个测试单元，数据采集单元，上位机，主开关单元，开关组单元；所述测试单元包括散热单元，连接单元，温度传感器单元，驱动单元。通过温度传感器单元实时采...
- 张浩然杨蕊田博文蔡雨萌孙鹏赵志斌
- 解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备
- 本发明涉及一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备，其包括对碳化硅MOSFET构建双脉冲测试电路；利用双脉冲测试电路进行碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试；根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测...
- 张浩然田博文杨蕊蔡雨萌孙鹏赵志斌
- 基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用
- 基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用，包括如下步骤：判断系统是否发生短路故障，若是则启动短路保护，主回路断开；用于检测功率半导体器件损坏情况的电路启动，测量功率半导体器件的静态参数；采集测量结果，将其与预...
- 彭娇阳孙鹏张浩然赵志斌
- 基于栅极泄漏电流的碳化硅MOSFET短路栅源极失效判定方法被引量：4
- 2022年
- 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET)的短路坚固性是影响器件在高压高频功率变换领域应用的关键问题。在传统的碳化硅MOSFET栅源极短路研究中,依据器件关断后的波形中栅源极电压u GS的上升判定是否发生短路失效。首先分析了这种传统的栅源极短路判定方法,指出其存在的u GS上升不明显问题将导致判定结果不准确。进而通过对碳化硅MOSFET栅源极短路的失效机理进行分析,提出了基于碳化硅MOSFET的静态参数——栅极泄漏电流IGSS的栅源极失效判定方法。然后搭建了碳化硅MOSFET短路实验平台,通过测量短路过程中IGSS的变化情况验证了所提出的判定方法的有效性及可行性。最后对比了2种判定方法的参数灵敏度、短路耐受时间和临界短路能量。结果表明,相比于传统判定方法,所提出的栅源极失效判定方法灵敏度提高了7倍以上,能够更准确地识别碳化硅MOSFET是否发生栅源极失效。上述分析有利于在实际应用中准确识别短路故障后器件的损坏状态,进而提高碳化硅MOSFET在高压应用中的可靠性和经济性。
- 彭娇阳孙鹏张浩然蔡雨萌赵志斌
- 后疫情时代家用防疫消毒设备服务设计研究
- 张浩然
- 一种功率半导体器件的高低温动态特性远程测试系统
- 本发明公开了一种功率半导体器件的高低温动态特性远程测试系统，该系统中柔性印刷线路板的一端为功率半导体器件连接端，另一端为双脉冲测试平台连接端；功率半导体器件各极连接线从柔性印刷线路板的功率半导体器件连接端的各端口引出，连...
- 吴涛孙鹏张浩然赵志斌崔翔
- 文献传递
- 基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用
- 基于功率半导体器件静态参数判定短路后失效方法及其应用，包括如下步骤：判断系统是否发生短路故障，若是则启动短路保护，主回路断开；用于检测功率半导体器件损坏情况的电路启动，测量功率半导体器件的静态参数；采集测量结果，将其与预...
- 彭娇阳孙鹏张浩然赵志斌
- 文献传递
- 用碳化硅交流功率循环电路拓扑控制系统及方法
- 用碳化硅交流功率循环电路拓扑控制系统及方法，包括电压源、电容、测试桥臂、负载桥臂、电感；电压源与电容并联后再与测试桥臂、负载桥臂并联；测试桥臂、负载桥臂分别为两个碳化硅MOSFET功率器件的串联支路；测试桥臂、负载桥臂二...
- 易锦志张浩然孙鹏蔡雨萌赵志斌
