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王凤华

作品数：9 被引量：2H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信轻工技术与工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 4篇单晶
  • 4篇锑化镓
  • 3篇衬底
  • 2篇单晶生长
  • 2篇湿法
  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇浸泡
  • 2篇晶片
  • 2篇晶体
  • 1篇单晶表面
  • 1篇氮气
  • 1篇循环利用
  • 1篇氧化层
  • 1篇氧化层厚度
  • 1篇英寸
  • 1篇砷化铟
  • 1篇酸性
  • 1篇酸性溶液
  • 1篇抛光片
  • 1篇切割机

机构

  • 9篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 9篇王凤华
  • 9篇刘京明
  • 8篇谢辉
  • 7篇赵有文
  • 5篇杨俊
  • 5篇卢伟
  • 4篇刘刚
  • 2篇高永亮
  • 2篇董志远
  • 2篇段满龙
  • 2篇王俊
  • 2篇杨凤云
  • 1篇王应利
  • 1篇卢超

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 2篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 1篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2013
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
锑化镓晶片湿法腐蚀方法
本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法，包括：将锑化镓晶片进行去蜡处理，减少颗粒和杂质的吸附；将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡，去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质；对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少...
谢辉赵有文赵士强沈桂英刘京明王凤华
晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法
本公开提供了一种晶体边缘液封切割装置及晶体边缘切割方法，晶体边缘液封切割装置包括切割机槽、夹持件、驱动电机、升降件和切割件，切割机槽内设有冷却液；夹持件平行于切割机槽的底部，设于切割机槽侧壁，夹持件的高度小于冷却液的高度...
刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉
4英寸GaSb和InAs单晶生长及红外探测用衬底制备
随着新型光电器件、红外探测器等制备技术的不断进步,对单晶衬底的尺寸和质量提出了更高的要求。本文介绍了采用液封直拉法(LEC)生长 4 英寸(100)晶向的 GaSb和InAs 单晶以及衬底晶片制备技术的最新进展。通过优化...
杨俊段满龙王凤华董志远刘京明谢辉卢伟刘刚王俊高永亮赵有文
关键词：GASBINAS单晶衬底
低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备被引量：2
2017年
采用液封直拉法(LEC)生长了4 inch直径(100)GaSb单晶并进行了衬底晶片的加工制备。通过优化热场,可重复生长出非掺和掺Te整锭(100)单晶,单晶锭的重量为5~8 kg,成晶率可达80%以上。4 inch(100)晶片大部分区域的位错腐蚀坑密度小500 cm^(-2) ,其(004)双晶衍射峰的半峰宽为29弧秒,表明晶片衬底的完整性相当好。晶体生长过程中固液界面较为平坦,因而晶片表现出良好的横向电学均匀性。经研磨和机械化学抛光,制备出具备良好平整度和表面粗糙度的开盒即用衬底晶片。通过控制本征受主缺陷浓度和掺杂浓度,制备出具有良好近红外透光率的n型GaSb单晶衬底。
杨俊段满龙卢伟刘刚高永亮董志远王俊杨凤云王凤华刘京明谢辉王应利卢超赵有文
关键词：单晶衬底
晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法
本公开提供了一种晶锭切割加工方法和晶体切割料的循环利用方法，晶锭切割加工方法包括：对待加工的晶锭进行定向处理，确定晶锭加工的晶向；根据晶锭加工的晶向，对晶锭进行定向切割，得到预定晶向的晶锭；对预定晶向的晶锭的边缘进行旋转...
刘京明刘刚卢伟杨俊沈桂英王凤华谢辉
砷化铟晶体合成生长装置及方法
本发明提供一种砷化铟晶体合成生长装置及方法，装置包括：旋转升级系统；石英合成生长管，设置于旋转升级系统上，用于提供真空环境，旋转升级系统用于控制石英合成生长管的旋转及升降；第一坩埚，设于石英合成生长管内部靠近旋转升级系统...
刘京明杨俊卢伟王凤华谢辉沈桂英赵有文
降低衬底表面残留杂质浓度的方法
本发明提供了一种降低衬底表面残留杂质浓度的方法。该方法包括：将衬底浸入酸性溶液中，保持第一预设时间，以去除衬底表面的金属杂质；将衬底浸入碱性溶液中，保持第二预设时间，以去除衬底表面的非金属杂质，以及将经过上述步骤处理后的...
刘京明赵有文王凤华杨凤云
文献传递
锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法
本公开公开了一种锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法，包括：对锑化镓抛光片用化蜡剂稀释液进行去蜡处理后，用去离子水冲洗；将所述锑化镓抛光片置于有机溶液中处理后，用去离子水冲洗；将所述锑化镓抛光片进行化学腐蚀液处理后，用去...
谢辉赵有文赵士强沈桂英刘京明王凤华
文献传递
锑化镓晶片湿法腐蚀方法
本发明公开了一种锑化镓晶片湿法腐蚀方法，包括：将锑化镓晶片进行去蜡处理，减少颗粒和杂质的吸附；将去蜡后的锑化镓晶片置于腐蚀液中浸泡，去除锑化镓晶片表面残留颗粒和杂质；对腐蚀后的锑化镓晶片进行冲洗并干燥。该方法能够有效减少...
谢辉赵有文赵士强沈桂英刘京明王凤华
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