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贾志伟

作品数:17 被引量:6H指数:2
供职机构:中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金:北京市科技计划项目山西省自然科学基金山西省回国留学人员科研经费资助项目更多>>
相关领域:电子电信理学更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 3篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 16篇激光
  • 14篇激光器
  • 11篇量子级联
  • 9篇量子级联激光...
  • 5篇波导
  • 4篇电极
  • 4篇电注入
  • 4篇欧姆接触
  • 3篇散热
  • 3篇半导体
  • 3篇半导体激光
  • 3篇半导体激光器
  • 3篇波长
  • 2篇散热通道
  • 2篇太赫兹
  • 2篇太赫兹量子级...
  • 2篇外腔
  • 2篇量子
  • 2篇面发射
  • 2篇面发射半导体...

机构

  • 17篇中国科学院
  • 1篇太原理工大学
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 17篇贾志伟
  • 15篇刘峰奇
  • 14篇王占国
  • 13篇张锦川
  • 9篇王利军
  • 8篇刘俊岐
  • 5篇刘舒曼
  • 4篇赵越
  • 2篇闫方亮
  • 2篇王东博
  • 1篇郭凯
  • 1篇张建国
  • 1篇卓宁
  • 1篇李璞
  • 1篇王安帮
  • 1篇翟慎强
  • 1篇赵彤

传媒

  • 2篇第13届全国...
  • 1篇激光与光电子...
  • 1篇光学学报
  • 1篇科技纵览

年份

  • 2篇2022
  • 3篇2019
  • 6篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
17 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
量子级联激光器
本发明提供了一种量子级联激光器,该量子级联激光器包括:阶梯热沉,其壁面上开有若干个阶梯平面;单管量子级联激光器,固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上;非球面透镜,固定安装在所述阶梯热沉的阶梯平面上,位于单管量子级联激光器的...
赵越张锦川贾志伟周予虹刘峰奇刘俊岐王占国
文献传递
MOCVD生长的瓦级中波红外高功率量子级联激光器被引量:3
2022年
基于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术实现了室温连续(CW)输出功率达到瓦级的中波红外量子级联激光器(QCL)。通过MOCVD生长条件优化,实现了高界面质量双声子共振结构材料生长,制备出室温CW功率最高为1.21 W的4.6μm QCL。具体研究了基于生长的30和40级有源区材料所制备器件的性能,探究了不同级数对器件性能的影响。相比于30级有源区器件,40级有源区器件单位面积等效输出功率没有明显提升,但器件性能随温度的升高迅速下降,这归因于更加显著的热积累效应和外延材料变厚导致的质量恶化。因此,在通过增加有源区级数提升器件功率时,需要充分考虑有源级数、热积累和材料生长质量等因素之间的平衡。MOCVD是半导体材料产业界普遍采用的技术,本研究工作对于提升QCL材料制备效率、推进QCL技术产业化应用具有重要意义。
孙永强费腾黎昆郭凯张锦川卓宁刘俊岐王利军王利军贾志伟刘舒曼刘峰奇贾志伟
关键词:激光器量子级联激光器金属有机物化学气相沉积高功率
基于量子级联激光器的痕量气体检测技术
近十年来,中红外量子级联激光器(QCL)在材料生长与器件性能方面得到了很大的发展,已经能够满足实际应用的绝大部分需求,同时器件工艺趋于成熟,成本逐年降低.因此,在未来十年甚至更长的时间内,量子级联激光器的应用将是痕量气体...
贾志伟王利军张锦川姚丹阳刘峰奇王占国
低阈值分布反馈锥形量子级联激光器
制备锥形量子级联激光器(QCL)是一种提高量子级联激光器输出功率同时改善输出光束质量的有效方法.然而由于锥形区域的侧壁损耗,已报道的锥形QCL其阈值电流密度都大于2kA/cm2,这对于QCL的实际应用十分不利.本文报道了...
贾志伟王利军张锦川刘峰奇王占国
关键词:量子级联激光器低阈值
波长扫描外腔半导体激光器
本发明公开了一种用于激光光谱学研究应用的波长扫描外腔半导体激光器。所述激光器包括:增益芯片、输出端准直透镜、反馈端准直透镜、扫描振镜、闪耀光栅、驱动及控制电路。由驱动及控制电路激励增益芯片发光,增益芯片反馈端发射光经反馈...
贾志伟王利军张锦川赵越刘峰奇王占国
文献传递
一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构
本发明公开了一种改善面发射半导体激光器慢轴远场的金属天线结构,其包括:衬底,其上制作有双沟道脊型波导结构,脊型区中设有激光器有源区;光栅层,制作在衬底上表面;电隔离层,制作在光栅层上表面,在光栅层与脊型区对应的上表面处断...
姚丹阳张锦川周予虹贾志伟闫方亮王利军刘俊岐刘峰奇王占国
文献传递
量子级联,让人类看得更远
2017年
中国科学院半导体研究所的研究团队利用分子束外延生长系统进行了红外量子级联激光材料的研究。实现了上千层应变材料的原子级尺度控制生长,取得了以InP基InGaAs/InAIAs多量子阱级联材料为代表的一系列标志性成果,具备环境监测、呼吸医疗、光电对抗、激光通信等多个领域的应用能力。
刘峰奇张锦川贾志伟
关键词:量子级联INGAAS激光材料分子束外延
二维光子准晶宽区半导体激光器结构
本发明公开了一种二维光子准晶宽区半导体激光器结构,包括:一衬底;一下波导;一下限制层;一有源区;一上限制层;一上波导;一接触层;一钝化层;一正面电极;一背面电极;一制作于上限制层的二维光子准晶阵列,从接触层到下波导刻蚀出...
贾志伟王利军张锦川刘峰奇刘俊岐王占国
文献传递
环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法
一种环形腔面发射差频太赫兹量子级联激光器的制备方法,包括如下步骤:步骤1:在一衬底上依序生长下波导层、下光学限制层、第一有源层、间隔层、第二有源层、上光学限制层和上波导层;步骤2:移除上波导层,在上光学限制层上呈放射状向...
程凤敏张锦川贾志伟赵越周予虹刘峰奇王利军刘俊岐刘舒曼王占国
文献传递
量子级联激光器芯片MOCVD外延相关技术研究
量子级联激光器(QCL)是一种单极型子带间跃迁激光器,激射波长由有源区量子阱垒厚薄组合决定.经过世界范围内众多科学家不懈努力,其性能突飞猛进[1,2].目前QCL已经成为中远红外以及THz波段最具潜力半导体激光光源之一....
姚丹阳张锦川贾志伟刘峰奇王占国
共2页<12>
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