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徐新宇

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：湘潭大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 3篇单粒子
  • 3篇瞬态
  • 2篇单粒子效应
  • 2篇电荷量
  • 2篇瞬态电压
  • 2篇晶体管
  • 2篇沟道
  • 2篇N沟道
  • 2篇场效应
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电路
  • 1篇瞬态电流
  • 1篇瞬态效应
  • 1篇芯片
  • 1篇芯片设计
  • 1篇抗辐照
  • 1篇抗辐照加固
  • 1篇集成电路
  • 1篇反相器
  • 1篇辐照加固

机构

  • 3篇湘潭大学

作者

  • 3篇徐新宇
  • 2篇唐明华
  • 2篇燕少安
  • 2篇张万里

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏...
唐明华徐新宇燕少安张万里
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一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法
本发明公开了一种抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管及其制作方法。所述抗单粒子效应的N沟道场效应晶体管包括半导体衬底、外延层、源区、漏区、栅极，源区与漏区之间设有第一阈值电压注入区，所述漏区的外围设有环形深掺杂漏区，深掺杂漏...
唐明华徐新宇燕少安张万里
场效应晶体管的单粒子瞬态效应及加固方法研究
航空航天设备所处的空间环境中充斥着各类高能粒子。当单个高能粒子入射到航空航天设备当中的半导体器件后，就会引起半导体材料发生电离效应，从而可能引起该半导体器件甚至该器件所处系统的单粒子瞬态效应，导致航空航天设备的功能失效或...
徐新宇
关键词：集成电路芯片设计抗辐照加固
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