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牛博

作品数：14 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 13篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 8篇导通
  • 5篇二极管
  • 4篇导电
  • 4篇电极接触
  • 4篇电流
  • 4篇续流
  • 4篇续流二极管
  • 4篇开启电压
  • 4篇集电区
  • 4篇负阻
  • 4篇负阻效应
  • 4篇半导体
  • 4篇IGBT器件
  • 4篇传导电流
  • 2篇导通电阻
  • 2篇导通压降
  • 2篇电场
  • 2篇电压
  • 2篇电压差
  • 2篇电压降

机构

  • 14篇电子科技大学

作者

  • 14篇牛博
  • 13篇李泽宏
  • 13篇任敏
  • 12篇张波
  • 11篇蔡果
  • 8篇张金平
  • 8篇高巍
  • 4篇刘永
  • 4篇陈海文
  • 2篇姚鑫
  • 2篇韩天宇
  • 2篇王为
  • 2篇曹晓峰

年份

  • 1篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 1篇2014
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种具有超势垒结构的高压二极管设计
在本文中，将超势垒结构运用到高压二极管中，提出一种具有超势垒结构的高压二极管，并利用寿命控制实验优化其动态特性。研究内容主要围绕一种具有超势垒结构的高压二极管的研制工作。　　从功率整流器的应用出发，介绍功率整流器的发展动...
牛博
关键词：高压二极管
一种VDMOS器件及其制造方法
本发明涉及半导体器件技术领域，具体为一种具有较低米勒电容的VDMOS器件及其制造方法。本发明采用的技术方案主要为在栅极下方的外延层中设置填充有氧化物的沟槽，使栅极控制在厚氧化层介质之上，减小控制栅末端位置产生的半导体表面...
任敏蔡果杨珏琳牛博郭绪阳曹晓峰李泽宏高巍张金平张波
文献传递
一种横向RC-IGBT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种横向RC‑IGBT器件。本发明的器件在传统的器件结构上，在集电极结构设置了N型电阻区电阻区11，由于薄N电阻区11区域很薄具有大的阻抗，在器件刚开始正向导通时，在较小的电流下就会...
任敏郭绪阳杨珏琳蔡果牛博李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种纵向RC-IGBT器件
本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种纵向RC-IGBT器件。本发明的器件，在传统的器件结构上，在集电极结构中设置了N型电阻区11，由于薄N电阻区11区域很薄具有大的阻抗，在器件刚开始正向导通时，在较小的电流下就会在...
任敏杨珏琳郭绪阳蔡果牛博李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种非均匀超结结构的制作方法
本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种非均匀超结结构的制作方法。本发明的方法为通过对体硅刻蚀之前淀积的光刻胶进行处理，采用多张掩膜板多次叠加曝光，使得待刻蚀区域的光刻胶具有不同的厚度。在随后进行体硅刻蚀中，...
任敏王为姚鑫韩天宇杨珏琳牛博李泽宏张金平高巍张波
一种能抑制负阻效应的SA-LIGBT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种能抑制负阻效应的SA-LIGBT。本发明的主要方法是：在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻，并且金属电阻的阻值可以通过调节金属电阻的面积和长度来控制。在器...
任敏刘永杨珏琳蔡果牛博伍济朱章丹陈海文李泽宏张波
一种能抑制负阻效应的RC-IGBT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种能抑制负阻效应的RC-IGBT。本发明的主要方法是：通过对在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻，在器件正向导通时，电流I<Sub>F</Sub>流过此金属...
任敏刘永蔡果杨珏琳牛博朱章丹陈海文李泽宏张波
一种非均匀超结结构的制作方法
本发明涉及半导体工艺制造技术领域，具体的说是涉及一种非均匀超结结构的制作方法。本发明的方法为通过对体硅刻蚀之前淀积的光刻胶进行处理，采用多张掩膜板多次叠加曝光，使得待刻蚀区域的光刻胶具有不同的厚度。在随后进行体硅刻蚀中，...
任敏王为姚鑫韩天宇杨珏琳牛博李泽宏张金平高巍张波
文献传递
一种能抑制负阻效应的SA‑LIGBT
本发明涉及功率半导体技术，特别涉及一种能抑制负阻效应的SA‑LIGBT。本发明的主要方法是：在P型集电区和N型集电区的电极接触之间产生一个适当阻值的金属电阻，并且金属电阻的阻值可以通过调节金属电阻的面积和长度来控制。在器...
任敏刘永杨珏琳蔡果牛博伍济朱章丹陈海文李泽宏张波
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一种具有低米勒电容的VDMOS器件结构及其制备方法
本发明提供一种低米勒电容的VDMOS器件结构及其制作方法。其器件结构的多晶硅栅分控制栅和屏蔽栅两部分，其中位于沟道上的多晶硅栅称为控制栅，控制沟道开启和关断，而位于厚场氧层上面的多晶硅与源电极相连或不相连，称为屏蔽栅。所...
李泽宏牛博杨珏琳蔡果任敏
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