王东明
- 作品数：4 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge-Sb-Te-Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗-锑-碲-硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb<Sub>2</Sub>Se)<Sub>x</Sub>（Ge<Sub>2</...
- 龚丽萍孙景阳王东明汪伊曼吕业刚沈祥王国祥戴世勋
- Cu对用于高速相变存储器的Sb2Te薄膜的结构及相变的影响研究被引量：1
- 2015年
- 采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化.Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大.在10 at.%和14 at.%Cu的Sb2Te薄膜中,Cu与Te成键,结晶相由六方相的Cu7Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成.10 at.%和14 at.%Cu的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和4.0%,均小于传统的Ge2Sb2Te5(GST)薄膜.制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元,并测试了其器件性能.Cu-Sb2Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作.SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小.疲劳测试结果显示,Cu含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×104和1.5×105,RESET和SET态的电阻比值约为100.Cu-Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料.
- 王东明吕业刚宋三年王苗沈祥王国祥戴世勋宋志棠
- 关键词：相变存储器
- 应用于相变存储器的Cu-Ge_3Sb_2Te_5薄膜的结构及相变特性研究
- 2015年
- 采用磁控溅射法制备了不同Cu含量的Cu-Ge3Sb2Te5薄膜,原位测试了薄膜电阻与温度的关系,并利用X射线衍射仪、透射电镜、透过和拉曼光谱仪分别研究了Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的晶体结构、微结构、禁带宽度及成键情况.结果表明,Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的结晶温度和结晶活化能随着Cu含量的增加而增大,Cu的加入有效改善Ge3Sb2Te5薄膜的热稳定性和10年数据保持力.随着Cu含量的增加,非晶态Cu-Ge3Sb2Te5薄膜的禁带宽度逐渐减小.同时,拉曼峰从129 cm-1向127 cm-1处移动,这是由于Cu—Te极性键振动增强的缘故.Cu-Ge3Sb2Te5结晶为均匀、相互嵌套的六方Cu2Te和Ge2Sb2Te5相.
- 孙景阳王东明吕业刚王苗汪伊曼沈祥王国祥戴世勋
- 关键词：相变
- 一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法
- 本发明公开了一种用于相变存储器的Ge‑Sb‑Te‑Se薄膜材料及其制备方法，特点是该材料是一种由锗‑锑‑碲‑硒四种元素组成的材料，其通式为(Sb<Sub>2</Sub>Se)<Sub>x</Sub>（Ge<Sub>2</...
- 龚丽萍吕业刚孙景阳王东明汪伊曼沈祥王国祥戴世勋
- 文献传递
