尹华伟
- 作品数：21 被引量：14H指数：2
- 供职机构：重庆大学更多>>
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- 相关领域：理学一般工业技术动力工程及工程热物理更多>>
- 一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法
- 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种晶体作三维运动的溶液中生长晶体的方法，根据溶解度公式，配制一定温度的饱和溶液；过滤后，在饱和温度以上20℃过热得生长溶液；将籽晶用胶固定在掣晶杆顶端；胶固化后将其引入到育晶器中，籽晶经...
- 李明伟曹亚超周川尹华伟程旻胡志涛王邦国
- 文献传递
- 一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统
- 本发明属于晶体生长技术领域，涉及一种维持过饱和度恒定的降温法晶体生长系统，该系统包括拉力传感器和热电偶构成的检测单元，信号处理器和微机组成的控制单元，以及温控器构成的执行单元；该系统能够实时测量生长晶体的质量变化量，并以...
- 尹华伟李明伟崔启栋程旻周川王邦国胡志涛
- 文献传递
- 喷流转晶法KDP晶体生长系统的流动与传质模拟被引量：2
- 2018年
- 提出了一种通过锥顶喷流改善KDP锥面过饱和度的晶体生长方法。采用有限体积法和滑移网格技术,对传统转晶法及喷流转晶法的KDP晶体生长过程进行了数值模拟。展示了两种生长方式下晶体表面过饱和度时均分布云图及均方差,分析了不同转速、不同喷流速度、不同晶体尺寸对晶面时均过饱和度及均方差的影响。结果表明:相比于传统转晶法,喷流转晶法晶体的锥面过饱和度提高且表面均匀性增加。提高喷流速度可以进一步提高锥面过饱和度,但其均方差却呈现先减小后增大的变化。旋转速度的增加能提高锥面过饱和度并减小其均方差。此外,晶体尺寸也会在一定程度上影响喷流的效果。
- 李志巍李明伟胡志涛尹华伟
- 关键词：KDP晶体过饱和度均方差
- 三维运动下KDP晶体生长过程中的应力分析被引量：2
- 2014年
- 作为一种新型溶液晶体生长方式,"三维运动生长法"能够快速生长高质量大尺寸的KDP晶体。为了了解KDP晶体在三维运动生长过程中晶体内部的应力状态,本文采用有限元法对三维运动下KDP晶体生长过程中的应力分布进行了计算。结果表明,掣晶杆顶端附近以及晶面和掣晶杆交接处存在明显的应力集中,主应力较大,是晶体生长过程中的易开裂点。增加掣晶杆直径,使用圆头掣晶杆和降低三维运动过程中的加速度能够降低晶体内部的最大主应力,减小晶体在生长过程中开裂的机率。
- 王邦国李明伟周川尹华伟
- 关键词：KDP晶体应力有限元
- L-丙氨酸掺杂下ZTS晶体法向生长动力学及化学侵蚀研究被引量：3
- 2014年
- 通过对L-丙氨酸掺杂下ZTS（100）、（010）及（001）面法向生长速度的研究发现,各晶面法向生长速度随过饱和度的增加而线性增加;随掺杂浓度的增加,（100）面的法向生长速度先增大后减小,而（010）及（001）面的法向生长速度先减小,接着增大,然后又减小。分析表明（100）面以位错生长机制为主,（010）及（001）面以连续生长机制为主。利用光学显微镜在侵蚀后的（100）面观察到矩形位错蚀坑,蚀坑密度为33～308 mm-2;掺杂浓度为1%（摩尔分数）时,蚀坑密度最小。
- 曹亚超李明伟潘翠连朱廷霞尹华伟程旻
- 关键词：动力学L-丙氨酸
- KDP晶体“二维平动法”生长及其品质分析被引量：2
- 2015年
- 首先测量了KDP溶液的亚稳区,并据此开展"点籽晶"KDP晶体快速生长实验。在实验中采用两种晶体运动方法--"二维平动法"和"旋转法"来生长晶体,分别得到尺寸为55 mm×55 mm×48 mm和60 mm×60 mm×45mm的晶体。将两种运动方式生长的晶体通过透过光谱,锥光干涉图以及化学腐蚀方式进行质量对比。结果表明,两种方式生长的晶体透过光谱没有太大区别,都具有较高的透过率,但"二维平动法"生长的晶体具有较好光学均匀性,位错密度明显降低。说明"二维平动法"生长晶体的方式能够减少晶体内部缺陷,提高晶体质量。
- 崔启栋李明伟尹华伟
- 关键词：KDP晶体锥光干涉图化学腐蚀
- 行星式转动溶液法晶体生长装置
- 本发明提供了一种晶体在溶液中做行星式转动的生长装置，该装置包括：生长容器、行星式旋转水封、行星驱动机构和晶体托盘。行星驱动机构输出端通过支撑杆与晶体托盘相连，驱动晶体托盘在生长容器中作自转和行星式公转。本发明中，晶体自转...
- 胡志涛李明伟尹华伟王鹏飞周川
- 文献传递
- 非完整形态KH2PO4晶体薄表面层生长特性
- 2018年
- 实时观察了非完整形态的KH_2PO_4(KDP)晶体在过饱和溶液中以薄表面层生长形式恢复其结晶学形态的过程。提出了晶体形态恢复的"最小多面体原理",即:在自由生长系统中,对于非完整形态的KDP晶体,当其以薄表面层形式恢复其结晶学完整形态时,薄表面层将选择相应的奇异面方向生长,使晶体形态最终恢复为一个由各结晶学显露面所围成的体积最小的凸多面体。利用PBC理论分析了生长基元在非结晶学显露面上的附着情况并阐述了锥顶处薄表面层倒垂生长的原因。结果表明,薄表面层形成与晶体非完整结晶学形态及不均匀水动力学条件相关联。柱面凹角与非正常棱边及Z切片正常棱角均可诱发产生薄表面层,且薄表面层生长终止于其所在奇异面的正常结晶学晶棱。
- 胡志涛李明伟尹华伟肖林海
- 关键词：晶体形态生长习性
- 不同EDTA添加剂浓度下ZTS溶液诱导期及其成核特性研究被引量：1
- 2015年
- 测定了25℃下,添加不同浓度的EDTA后,不同过饱和比下ZTS溶液的诱导期,研究了掺杂浓度及过饱和比对ZTS溶液成核的影响。研究显示,当溶液处于较高过饱和比时(S>1.13),均匀成核占主导;而在较低过饱和比时(S<1.11),则以非均匀成核为主。利用经典成核理论对实验所得数据进行分析,计算得到了界面张力、临界核形成功、临界核半径等成核特性,发现了溶液过饱和比及掺杂浓度对成核速度的影响,解释了添加EDTA能提高溶液稳定性的原因。利用界面张力的值计算得到了表面熵因子。
- 宋洁李明伟尹华伟
- 关键词：EDTA诱导期
- 溶液喷流及平移运动条件下KDP晶体生长数值模拟与实验研究
- 磷酸二氢钾(KH2PO4，KDP)是KDP类晶体家族中的重要成员，它广泛用于光调制、变频、压电换能器等领域。特别是在强激光系统中，由于只有大口径、高质量的KDP晶体才能满足单晶器件的应用要求（如用于惯性约束聚变中的普克尔...
- 尹华伟
- 关键词：晶体生长
