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张曙光

作品数：81 被引量：0H指数：0
供职机构：华南理工大学更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术电气工程金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 79篇专利
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇电子电信
  • 3篇一般工业技术
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇经济管理

主题

  • 50篇衬底
  • 26篇电池
  • 23篇太阳电池
  • 21篇SI衬底
  • 13篇电极
  • 13篇石墨
  • 13篇石墨烯
  • 13篇肖特基
  • 13篇量子
  • 12篇纳米
  • 12篇缓冲层
  • 11篇肖特基结
  • 11篇量子点
  • 11篇GAAS衬底
  • 10篇晶体
  • 10篇发光
  • 10篇分子束
  • 10篇分子束外延
  • 10篇盖层
  • 8篇底电极

机构

  • 81篇华南理工大学

作者

  • 81篇张曙光
  • 63篇李国强
  • 59篇温雷
  • 57篇高芳亮
  • 9篇管云芳
  • 8篇彭俊彪
  • 3篇韩晶磊
  • 2篇王凯诚
  • 1篇王海燕
  • 1篇徐苗
  • 1篇王丹
  • 1篇王文樑
  • 1篇王俊杰
  • 1篇兰林锋
  • 1篇林志霆
  • 1篇宁洪龙
  • 1篇王磊
  • 1篇周仕忠
  • 1篇姚日晖

年份

  • 2篇2024
  • 5篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 4篇2020
  • 16篇2019
  • 16篇2018
  • 14篇2017
  • 4篇2016
  • 9篇2015
  • 4篇2014
共 81 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用
本发明公开了一种Si衬底上InGaN纳米柱@Au纳米粒子复合结构及其制备方法与应用，其中，贵金属Au纳米粒子的SPR效应可以进一步增强半导体InGaN纳米柱对太阳光的吸收；此外，Au纳米粒子与半导体InGaN纳米柱界面处...
李国强徐珍珠高芳亮张曙光温雷余粤锋
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一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法
本发明公开了一种强拉曼散射强度的石墨烯的制备方法，包括以下步骤：(1)制备有序Au纳米结构；(2)制备石墨烯薄膜；(3)将石墨烯薄膜转移到Au纳米结构的表面。本发明通过将石墨烯薄膜覆盖在Au纳米结构表面，极大提高石墨烯与...
张曙光李国强温雷高芳亮李景灵
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一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池及其制备方法
本发明公开了一种包含电子传输层的肖特基结太阳电池的制备方法，包括以下步骤：(1)在P型InP晶圆上制备金电极；(2)将镀好金电极的P型InP圆片用金刚刀切割成方片，得到P型InP片；(3)清洗P型InP片；(4)在清洗吹...
张曙光温雷
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一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
李国强高芳亮温雷张曙光李景灵
生长在Al衬底上的InGaN纳米柱
本实用新型公开了生长在Al衬底上的InGaN纳米柱，包括生长在Al衬底上的AlN缓冲层，生长在AlN缓冲层上的InGaN纳米柱。其中采用的Al衬底热导率高，成本低，有利于解决器件散热的问题，降低器件成本；其次，本实用新型...
李国强徐珍珠高芳亮张曙光温雷余粤锋
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一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜及其制备方法
本发明公开了一种生长在Si衬底上的GaAs薄膜的制备方法，包括以下步骤：(1)Si(111)衬底清洗；(2)Si(111)衬底预处理；(3)Si(111)衬底脱氧化膜；(4)第一In<Sub>x</Sub>Ga<Sub>...
李国强高芳亮温雷张曙光李景灵
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一种多组分梯度能级核壳结构量子点及其制备方法
本发明属于光电材料领域，公开了一种多组分梯度能级核壳结构量子点及其制备方法。所述多组分梯度能级核壳结构量子点为CdS/Cd<Sub>x</Sub>Zn<Sub>1‑</Sub><Sub>x</Sub>S/ZnS、CdS<...
彭俊彪兰林锋宁洪龙王磊徐苗姚日晖王丹张曙光李海洋李丹阳
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新型衬底上的高光效LED外延材料与芯片
李国强王文樑林志霆吴质朴王海燕张曙光高芳亮周仕忠
针对基于蓝宝石衬底的商用LED发展所面临的瓶颈，项目提出选取LGO和LSAT两种新型衬底来替代蓝宝石，开展了系统的“新型衬底上的高光效LED外延材料与芯片”研发工作。取得了以下3项突破性的核心发明技术：发明了一种氮化物低...
关键词：
关键词：芯片
生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法
本发明公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱及其制备方法，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳...
李国强高芳亮张曙光徐珍珠余粤锋
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生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱
本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的InGaN/GaN多量子阱纳米柱，该InGaN/GaN多量子阱纳米柱包括Si/石墨烯复合衬底、生长在Si/石墨烯复合衬底上的n型掺杂GaN纳米柱，生长在n型掺杂GaN纳米柱顶部...
李国强高芳亮张曙光徐珍珠余粤锋
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