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文献类型

  • 8篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇纳米
  • 4篇纳米球
  • 3篇旋涂
  • 3篇刻蚀
  • 3篇光刻
  • 3篇光刻胶
  • 3篇干法刻蚀
  • 3篇衬底
  • 2篇氮化镓
  • 2篇掩膜
  • 2篇自组装
  • 2篇显影液
  • 2篇晶体
  • 2篇光子
  • 2篇光子晶体
  • 2篇二极管
  • 2篇发光
  • 2篇发光二极管
  • 2篇板层
  • 2篇波导

机构

  • 8篇中国科学院

作者

  • 8篇王军喜
  • 8篇张勇辉
  • 6篇李晋闽
  • 6篇魏同波
  • 3篇段瑞飞
  • 2篇羊建坤
  • 2篇郭恩卿
  • 2篇霍自强
  • 2篇马平
  • 2篇甄爱功
  • 2篇胡强
  • 2篇田迎冬
  • 1篇伊晓燕
  • 1篇何志
  • 1篇张硕

年份

  • 3篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
生长半极性GaN厚膜的方法
本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括:步骤A,在衬底上外延半极性GaN模板层;步骤B,在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层;步骤C,在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层;以及步骤D,在...
羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜
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一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法
本发明公开了一种具有低折射率材料的LED图形化衬底的制备方法,包含以下步骤:步骤1:在图形衬底上沉积低折射率材料;步骤2:在低折射率材料表面旋涂第一光刻胶;步骤3:利用光刻技术,对没有图形的地方进行光刻,而使图形衬底上的...
张勇辉魏同波王军喜李晋闽
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一种多功能组合型纳米图形制作方法
本发明公开了一种多功能组合型纳米图形阵列制作方法,包含以下步骤:在衬底上旋涂一层光刻胶;在光刻胶上涂一单层透明微纳米球;在预定波长的光照下,利用透明微纳米球的聚光作用,将涂覆在衬底上的光刻胶曝光,形成图形阵列;将整个样品...
张勇辉魏同波王军喜李晋闽
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具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法
一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法,包含:在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶;在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜;光刻,...
甄爱功马平张勇辉田迎冬郭恩卿王军喜李晋闽
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半导体器件、透明金属网状电极及其制作方法
本发明公开了一种透明电极及其制作方法,在正装LED结构中使用透明的金属网状电极代替传统的退火ITO透明电极层形成欧姆接触。本发明使用自组装方法铺设周期性结构作为掩膜铺设金属电极,通过金属网格的孔洞实现电极的透明功能。并能...
张硕段瑞飞何志魏同波张勇辉伊晓燕王军喜李晋闽
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生长半极性GaN厚膜的方法
本发明提供了一种生长半极性GaN厚膜的方法。该方法包括:步骤A,在衬底上外延半极性GaN模板层;步骤B,在GaN模板层上制备纳米级网状结构的TiN掩膜层;步骤C,在TiN掩膜层上制备自组装纳米球阵列掩膜层;以及步骤D,在...
羊建坤魏同波霍自强张勇辉胡强段瑞飞王军喜
具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法
一种具有波导结构光子晶体发光二极管的制作方法,包含:在衬底上依次外延形核层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、有源层、电子阻挡层和p型氮化镓层;在p型氮化镓层的表面旋涂第一光刻胶;在第一光刻胶上制作第一单层纳米球薄膜;光刻,...
甄爱功马平张勇辉田迎冬郭恩卿王军喜李晋闽
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一种多功能组合型纳米图形制作方法
本发明公开了一种多功能组合型纳米图形阵列制作方法,包含以下步骤:在衬底上旋涂一层光刻胶;在光刻胶上涂一单层透明微纳米球;在预定波长的光照下,利用透明微纳米球的聚光作用,将涂覆在衬底上的光刻胶曝光,形成图形阵列;将整个样品...
张勇辉魏同波王军喜李晋闽
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共1页<1>
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