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王敬轩: 作品数：21 被引量：11H指数：2; 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>; 发文基金：国家高技术研究发展计划国家电网公司科技项目国家科技重大专项更多>>; 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>

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新型CoMo合金铜互连扩散阻挡层研究: 随着特征尺寸的缩小，集成电路的技术节点已经进入14nm以下，互连中的RC延迟和可靠性问题已经成为制约芯片性能的主要因素，传统的Ta/TaN阻挡层已经不能满足工艺发展的要求，需要研究新型超薄扩散阻挡层材料。本论文针对新型的...; 王敬轩; 关键词：铜互连扩散阻挡层化学机械抛光; 文献传递

一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液: 本发明属于微电子工艺中技术领域，具体为一种基于金属Co的抛光工艺的抛光液。该抛光液包含0-5%比重的氧化剂，0.1-25%的比重的研磨颗粒，0.001-10%比重的螯合剂，0.01-10%比重的抑制剂，以及余量的水。所述...; 鲁海生屈新萍王敬轩; 文献传递

SiC MOSFET器件抗辐照特性研究被引量：5: 2016年; 针对SiC功率金属氧化物半导体场效应晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)器件进行了抗辐照试验的研究,利用实验室环境模拟空间辐照进行了试验,采用^(60)Coγ射线源与测试系统开展了总剂量辐照试验研究,对SiC MOSFET器件的阈值电压与导通电阻的漂移进行了表征,得到辐照后阈值电压的漂移小于0.8 V,导通电阻的变化小于0.02?。同时采用Br、I、Au三种离子作为单粒子辐射源,研究了SiC MOSFET器件的单粒子栅穿(single event gate rupture,SEGR)和单粒子烧毁(single event burnout,SEB)机制。通过试验获得了SiC MOSFET器件抗辐照特性参数,为其在航空、航天等领域中的应用提供了技术参考。; 王敬轩吴昊王永维李永平王勇杨霏; 关键词：SIC MOSFET 抗辐照单粒子烧毁

一种降低漏电流的GaN器件: 本实用新型公开了一种降低漏电流的GaN器件，涉及GaN功率半导体器件领域。该GaN器件自下而上依次包括衬底、AlN缓冲层、非掺杂GaN外延层、高掺杂AlGaN势垒层、高介电常数介质材料层和复合介质材料层；所述非掺杂GaN...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

一种降低GaN器件漏电流的方法: 本发明公开了一种降低GaN器件漏电流的方法，涉及GaN功率半导体器件领域。制备步骤：（a）对GaN基片的表面进行清洗处理；（b）台面光刻与注入隔离；（c）在GaN基片表面上生长一层高介电常数介质材料层；（d）在淀积的高介...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法: 本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技...; 王敬轩王永维王勇

低压化学气相淀积低应力氮化硅工艺研究被引量：4: 2021年; 微机械加工(Micro-Electro Mechanical System,MEMS)工艺中常需要应用到低应力氮化硅作为结构层或钝化层材料,以降低圆片的翘曲。通过采用低压化学气相淀积工艺(Low Pressure Chemical-Vapor Deposition,LPCVD),优化工艺中反应气体流量比,可以得到应力低于200 MPa的氮化硅薄膜。针对工艺中存在的片间应力以及薄膜厚度均匀性差的问题,采用二次离子质谱测试(Secondary Ion Mass Spectroscopy,SIMS)的方式,分析出反应气体的消耗造成的反应气体比例变化是引起该问题的主要因素。通过优化工艺参数,得到了片间应力在100~150 MPa之间、厚度均匀性5%以内的低应力氮化硅薄膜,可实现50片/炉的工艺能力,可批量应用于MEMS工艺中。; 王敬轩商庆杰杨志; 关键词：微机械加工低压化学气相淀积均匀性

深能级快速离化导通器件及其制造方法: 本发明公开了一种深能级快速离化导通器件及其制造方法，属于半导体器件工艺制造技术领域。本发明包括N型半导体基片，所述N型半导体基片的正面为P型扩散区，所述P型扩散区上分布阴极P<Sup>+</Sup>区、阴极N<Sup>+...; 王敬轩刘忠山闫伟王永维王勇; 文献传递

利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法: 本发明公开了一种利用复合介质导电膜实现SiC基片投影光刻标记的方法，涉及SiC电子器件技术领域。包括如下步骤：（a）对SiC基片进行清洗处理；（b）在SiC基片上生长适当厚度用于掩蔽光刻的复合介质导电膜；（c）通过光刻技...; 王敬轩王永维王勇; 文献传递

高密度电容器件的制备及其可靠性: 2024年; 介绍了一种基于微机械加工技术(MicroElectronMechanical System,MEMS)的硅基高密度电容芯片的制备方法。该电容芯片采用了深孔刻蚀、介质淀积生长以及原位掺杂多晶硅等工艺技术,实现了高击穿电压(50V@1μA)、高电容密度(38.8~39.5nF/mm^(2))的电容芯片制备。; 商庆杰王敬轩董春晖宋洁晶杨志