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胡继超
作品数:
19
被引量:1
H指数:1
供职机构:
西安电子科技大学
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发文基金:
国家自然科学基金
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相关领域:
电子电信
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合作作者
张玉明
西安电子科技大学
张艺蒙
西安电子科技大学
王悦湖
西安电子科技大学
宋庆文
西安电子科技大学
贾仁需
西安电子科技大学
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电子电信
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碳化硅
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2篇
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外延层
2篇
氩
1篇
低密度
机构
19篇
西安电子科技...
作者
19篇
胡继超
18篇
张玉明
16篇
王悦湖
16篇
张艺蒙
13篇
宋庆文
4篇
贾仁需
2篇
韩超
2篇
郭辉
年份
2篇
2019
1篇
2017
1篇
2015
15篇
2014
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19
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一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制氢气流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
文献传递
4H-SiC低压同质外延生长和器件验证
作为第三代半导体材料的之一,碳化硅(SiC)材料具有宽的禁带、高的击穿电场、高电子漂移速度和高热导率等优势,是制备高压、高温、大功率、抗辐射的电力电子功率器件的理想材料之一。经过近30年的发展,SiC电子器件已广泛应用于...
胡继超
关键词:
本征缺陷
碳化硅
第三代半导体
文献传递
一种控制生长压强N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制生长压强N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
文献传递
一种控制掺杂源流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量P型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
文献传递
一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量N型重掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖
胡继超
宋庆文
张艺蒙
张玉明
文献传递
一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制掺杂源流量P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达...
王悦湖
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
文献传递
4H-SiC同质外延生长方法
本发明涉及一种4H-SiC衬底上的同质外延方法,所述方法包括:将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;通入H<Sub>2</Sub>,进行10分钟的原位刻蚀;将反应室压强降低为40mbar,保持温...
贾仁需
胡继超
张玉明
王悦湖
张艺蒙
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一种P型梯度掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种P型梯度掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达100mba...
王悦湖
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
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低压制备碳化硅薄膜外延的方法
本发明涉及一种低压制备碳化硅薄膜外延的方法。该方法包括:将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,并将反应室抽成真空;向反应室中通入具有第一恒定流量的第一氢气流,在第一氢气流及第一恒压下对反应室加热至第一恒温;在第一...
韩超
胡继超
张玉明
贾仁需
郭辉
王雨田
文献传递
一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法
本发明涉及一种控制生长压强P型低掺杂碳化硅薄膜外延制备方法,所述制备方法包括以下步骤:(1)将碳化硅衬底放置到碳化硅CVD设备的反应室中,将反应室抽成真空;(2)向反应室通入H<Sub>2</Sub>直至反应室气压到达1...
王悦湖
涂银辉
胡继超
张艺蒙
宋庆文
张玉明
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