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樊杰

作品数：3 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文专利

主题

  • 3篇等离子体
  • 3篇刻蚀
  • 2篇对等离子体
  • 2篇刻蚀机
  • 2篇光刻
  • 2篇光刻胶
  • 1篇钝化
  • 1篇选择比
  • 1篇掩膜
  • 1篇图案
  • 1篇腔体
  • 1篇污染
  • 1篇衬底

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇孔欣
  • 3篇魏珂
  • 3篇刘果果
  • 3篇刘新宇
  • 3篇黄森
  • 3篇樊杰

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2014
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金...
魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法
本发明公开了一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法，该方法是采用Cl基等离子体对形成背孔图形的衬底背面进行表面钝化处理，使得金属Ni掩膜与Cl基等离子体接触的表面形成NiCl<Sub>3</Sub>。本发明通过对Ni...
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一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金...
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