您的位置： 专家智库 > >

孙博韬

作品数：23 被引量：1H指数：1
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学交通运输工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇理学

主题

  • 11篇氧化层
  • 11篇外延层
  • 7篇栅氧化
  • 7篇栅氧化层
  • 6篇晶体管
  • 5篇场效应
  • 4篇半导体
  • 4篇VDMOS
  • 4篇场效应晶体管
  • 3篇单粒子
  • 3篇接触孔
  • 3篇介质层
  • 3篇辐照
  • 2篇导电类型
  • 2篇电荷
  • 2篇电流
  • 2篇电流扩展
  • 2篇电流限制
  • 2篇电路
  • 2篇电压

机构

  • 23篇中国科学院微...
  • 1篇中国科学院
  • 1篇中国科学院大...

作者

  • 23篇孙博韬
  • 22篇王立新
  • 13篇张彦飞
  • 8篇宋李梅
  • 6篇丁艳
  • 5篇韩郑生
  • 5篇肖超
  • 4篇高博
  • 4篇罗家俊
  • 2篇单尼娜
  • 2篇刘刚
  • 2篇陆江
  • 1篇丁凯凯
  • 1篇陆江

传媒

  • 1篇微电子学
  • 1篇2013‘全...

年份

  • 1篇2020
  • 6篇2019
  • 2篇2018
  • 3篇2017
  • 6篇2016
  • 4篇2014
  • 1篇2013
共 23 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法
本申请提供的一种阳极栅MOS晶闸管及其工艺方法，涉及半导体器件领域，包括：阳极端，所述阳极端包括第一NMOS结构；第一栅电极，所述第一栅电极下方形成所述第一NMOS结构；N+缓冲层，其中，所述N+缓冲层在晶闸管导通状态下...
胡飞宋李梅孙博韬韩郑生
文献传递
一种半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体...
孙博韬王立新张彦飞
文献传递
一种静电保护结构
本发明公开了一种静电保护结构，设置于需要进行静电保护的器件的两个极之间，包括：外延层；两个第一阱区，位于所述外延层的表层；所述两个第一阱区中分别设置有一个第二阱区，共两个第二阱区；所述两个第二阱区分别与所述两个极接触；所...
孙博韬王立新张彦飞
文献传递
一种超结器件
本发明公开了一种超结器件，所述器件包括：外延层，外延层中有超结结构，超结结构为交替设置的多根第一掺杂立柱和多根第二掺杂立柱，其中，第一掺杂立柱与第二掺杂立柱的掺杂类型不相同；多个表面结构，包括：第一掺杂阱区和设置在第一掺...
杨尊松王立新肖超宋李梅孙博韬陆江罗小梦罗家俊
文献传递
一种半导体场效应晶体管及其制造方法
本发明公开了一种半导体场效应晶体管及其制造方法，该方法包括：在半导体衬底上的第一部分区域形成掩膜层；以掩膜层为掩蔽依次在半导体衬底中形成阱区、源极区和生长出局部硅氧化层；去除掩膜层；依次形成栅氧层和多晶硅层，以获得半导体...
孙博韬王立新张彦飞
文献传递
一种具有网状外延结构的超结MOSFET
本发明属于半导体技术领域，公开了一种具有网状外延结构的超结MOSFET，包括：衬底、网状外延层、阱区、结型场效应管JFET区、栅介质层、多晶硅栅极、隔离介质层、金属源电极以及金属漏电极；在网状外延层生长在衬底上；阱区与结...
孙博韬王立新宋李梅张彦飞高博
一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件
本实用新型属于半导体试验测试技术领域，公开了一种用于单粒子激光脉冲试验的功率VDMOS器件；包括：VDMOS芯片以及表贴管壳；所述VDMOS芯片封装在所述表贴管壳内；在所述表贴管壳背面，对应VDMOS芯片漏极位置设置通孔...
高博丁凯凯刘刚王立新韩郑生张彦飞孙博韬
文献传递
一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET
本发明公开了一种具有全方位电流扩展路径的沟槽MOSFET，包括：衬底101；覆盖在衬底101内的第一结构层102；覆盖在第一结构层102内的第二结构层103；覆盖在第二结构层103内的第三结构层104；位于第三结构层10...
丁艳王立新张彦飞孙博韬
文献传递
一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管
本发明公开了一种垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，包括：衬底、P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，栅极包括：第一栅极和第二栅极，第二栅极位于第一栅极和衬底之间；第一栅极与第二栅极之间的栅氧化层厚度为第一厚度；第二...
孙博韬王立新单尼娜
文献传递
一种超结MOS晶体管
本发明公开了一种超结MOS晶体管，其特征在于，包括：外延层，外延层中交替设有多根P型立柱和多根N型立柱，其中，每相邻两根P型立柱之间的区域为一根N型立柱；多个表面MOS结构，包括：P阱区、N阱区、栅氧化层和栅极；其中，每...
孙博韬王立新张彦飞肖超宋李梅丁艳
文献传递
全选 清除 导出
共3页<123>
聚类工具0