吴君辉
- 作品数：4 被引量：4H指数：1
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- 相关领域：理学更多>>
- 溶剂蒸汽退火法制备有机小分子半导体单晶被引量：4
- 2015年
- 溶剂蒸汽退火(Solvent Vapor Annealing,SVA)是一种经济高效的小分子半导体晶体生长制备方法.本工作通过该方法制备出了多种小分子有机半导体单晶,通过偏光显微镜,XRD,TEM和AFM对得到的单晶的形貌和晶体结构进行了表征.此外,我们对退火所用溶剂的溶解度、蒸汽退火的环境温度和聚合物介质的引入等影响因素进行了讨论.研究发现,SVA过程中随着退火溶剂对有机半导体的溶解度增大,得到的晶体尺寸也随之增大;此外,当退火温度升高,晶体生长速度加快,但当温度接近溶剂蒸汽的沸点时,晶体极易产生缺陷;聚合物的引入可以大大促进SVA进程,并且生长得到的有机半导体单晶缺陷更少,尺寸更大.
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- 关键词：有机半导体单晶
- 制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法
- 本发明公开了一种制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法，本发明基于毛细力刻蚀和聚合物辅助有机蒸汽处理，与传统的毛细力刻蚀不同的是，本发明采用溶剂软化样品。在聚合物辅助有机蒸汽处理毛细力刻蚀过程中，将与模板紧密...
- 王哲高明圆吴君辉袁艺
- 文献传递
- 制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法
- 本发明公开了一种制备尺寸可控的高取向有机小分子半导体单晶图案的方法，本发明基于毛细力刻蚀和聚合物辅助有机蒸汽处理，与传统的毛细力刻蚀不同的是，本发明采用溶剂软化样品。在聚合物辅助有机蒸汽处理毛细力刻蚀过程中，将与模板紧密...
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- 一种小分子有机半导体单晶的制备方法
- 本发明公开了一种制备有机小分子半导体单晶的方法，本发明基于溶剂蒸汽退火进行：在一定的溶剂蒸汽氛围下，有机半导体薄膜吸收溶剂，部分溶解活化，薄膜的聚集态结构由原来多晶状态转变为运动性更强的半溶解态，分子的扩散和传质运动增强...
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