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李迪

作品数：6 被引量：6H指数：1
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：北京市科技计划项目国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 6篇势垒
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化物
  • 4篇肖特基
  • 4篇金属
  • 4篇化物
  • 4篇HEMT器件
  • 3篇电极
  • 3篇肖特基接触
  • 3篇金属电极
  • 2篇钝化
  • 2篇增强型
  • 2篇势垒层
  • 2篇欧姆接触
  • 2篇肖特基势垒
  • 2篇肖特基势垒二...
  • 2篇二极管
  • 1篇氮化镓
  • 1篇等离子体处理
  • 1篇电学

机构

  • 6篇中国科学院

作者

  • 6篇樊中朝
  • 6篇杨富华
  • 6篇贾利芳
  • 6篇何志
  • 6篇李迪
  • 5篇王晓东
  • 4篇刘志强
  • 4篇梁亚楠
  • 4篇程哲

传媒

  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 2篇2017
  • 2篇2015
  • 2篇2014
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种氮化镓异质结肖特基二极管及其制备方法
本发明公开了一种氮化镓异质结肖特基二极管，所述二极管包括：衬底、成核层、缓冲层、势垒层、介质钝化层，其中：成核层形成在衬底上；缓冲层和势垒层依次形成在成核层上；势垒层的部分表面形成有欧姆接触和一个或多个凹槽，欧姆接触作为...
李迪贾利芳何志樊中朝杨富华
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一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
文献传递
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
GaN基SBD功率器件研究进展被引量：6
2014年
作为第三代宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)功率器件具有耐高温、耐高压和导通电阻小等优良特性,在功率器件方面具有显著的优势。概述了基于功率应用的GaN SBD功率器件的研究进展。根据器件结构,介绍了基于材料特性的GaN SBD和基于AlGaN/GaN异质结界面特性的GaN异质结SBD。根据器件结构对开启电压的影响,对不同阳极结构器件进行了详细的介绍。阐述了不同的肖特基金属的电学特性和热稳定性。分析了表面处理,包括表面清洗、表面等离子体处理和表面钝化对器件漏电流的影响。介绍了终端保护技术,尤其是场板技术对击穿电压的影响。最后探讨了GaN基SBD功率器件未来的发展趋势。
李迪贾利芳何志樊中朝王晓东杨富华
关键词：氮化镓功率器件等离子体处理
一种新型GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
贾利芳何志刘志强李迪樊中朝程哲梁亚楠王晓东杨富华
文献传递
一种GaN基增强型HEMT器件及其制备方法
本发明公开了一种GaN基增强型HEMT器件，该HEMT器件包括：GaN本征层和势垒层依次生长在衬底上；高空穴浓度结构层覆盖在势垒层上表面部分区域；第一和第二金属电极位于势垒层上表面未被高空穴浓度结构层覆盖的部分区域；第三...
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