您的位置： 专家智库 > >

刘益宏

作品数：2 被引量：1H指数：1
供职机构：上海师范大学数理学院更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇电子发射
  • 1篇载流子
  • 1篇载流子输运
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿效应
  • 1篇热电子
  • 1篇热电子发射
  • 1篇温度效应
  • 1篇肖特基
  • 1篇肖特基二极管
  • 1篇光刻
  • 1篇光刻工艺
  • 1篇光刻胶
  • 1篇二极管
  • 1篇4H-SIC

机构

  • 2篇上海师范大学

作者

  • 2篇陈之战
  • 2篇刘益宏
  • 2篇孙玉俊
  • 2篇赵高杰
  • 1篇石旺舟
  • 1篇张永平
  • 1篇程越
  • 1篇李万荣

传媒

  • 2篇上海师范大学...

年份

  • 1篇2015
  • 1篇2014
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
4H-SiC肖特基二极管载流子输运的温度效应被引量：1
2015年
以Cree公司生产的碳化硅肖特基二极管为研究对象,对其进行I-V测试.通过对实验数据的理论模拟,研究了碳化硅肖特基二极管的载流子输运机理及温度效应.研究结果表明:温度升高,碳化硅肖特基二极管的肖特基势垒高度降低,漏电流急剧增加.正向导通时符合热电子发射机理,镜像力和隧穿效应共同作用使得反向偏压下的漏电流增加并能较好地和实验值相一致.
童武林孙玉俊刘益宏赵高杰陈之战
关键词：热电子发射隧穿效应
光刻图形转移技术
2014年
通过对预烘、光刻胶旋涂、软烘焙、对准曝光、后烘、显影、坚膜的光刻工艺过程分析,主要介绍了光刻工艺中容易出现的问题及解决方法,并通过实验和分析得出了可靠的技术方案.
张永平程越卢吴越谈嘉慧赵高杰刘益宏孙玉俊陈之战石旺舟李万荣陆逸枫
关键词：光刻光刻工艺光刻胶
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0