闫逸华 作品数:12 被引量:16 H指数:3 供职机构: 西北核技术研究所 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 电子电信 自动化与计算机技术 文化科学 更多>>
电子元器件的微剂量效应研究进展 2012年 高能重离子在其径迹周围局域空间所沉积的微剂量,足以引起器件特性的永久性退化,导致存储器状态无法改变或器件功能异常等现象。本文综述了此领域的国内外研究进展,基于局域总剂量与强库仑斥力两种失效机制,结合几种典型电子元器件的结构特征,介绍了微剂量效应的失效表征,并讨论了其主要影响因素和发展趋势。 闫逸华 范如玉 郭晓强 林东生 郭红霞 张凤祁 陈伟一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法,包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口,它是由现场可编程门阵列(FPGA)... 张科营 罗尹虹 郭红霞 姚志斌 郭晓强 张凤祁 王园明 王忠明 闫逸华 丁李丽 赵雯 王燕萍一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统 本发明涉及一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统,本发明系统包括时钟相位调整模块、校验向量生成模块和延迟补偿判断模块;本发明方法中采用了一种可调节相位的时钟采集经过长线传输的信号,该采样时钟相位调整到可以使信号... 张科营 张凤祁 罗尹虹 郭红霞 姚志斌 王园明 郭晓强 王忠明 闫逸华 丁李丽 赵雯 王燕萍文献传递 一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法 本发明涉及一种基于仿真的单粒子效应截面获取方法,设定器件的实际材料结构、几何结构、掺杂参数,实现完整的器件模型;进行半导体特性数值计算,求解扩散漂移方程、泊松方程以及载流子连续方程,获取器件的电学特征曲线;开展单粒子效应... 郭红霞 张科营 罗尹虹 赵雯 闫逸华 王园明 张凤祁 郭晓强 丁李丽 王忠明 王燕萍Flash型FPGA的单粒子效应测试系统研制 被引量:2 2015年 研制了一套Flash型FPGA的单粒子效应测试系统,其具有片上SRAM/Flash ROM单粒子翻转效应测试、D触发器单粒子效应测试、锁相环与时钟网络单粒子瞬态效应测试、单粒子瞬态脉冲宽度测试等功能。本文介绍了该系统的测试原理和软硬件实现方法。 王忠明 闫逸华 陈荣梅 王园明 赵雯 张凤祁 郭晓强 郭红霞关键词:单粒子效应 Flash ROM的X微束辐照试验研究及失效机理分析 2013年 Flash ROM芯片的存储阵列和外围电路均具有较高的辐射易损性,辐射损伤模式多样。为对其辐射敏感电路进行定位和分析,本文采用X射线微束开展局部辐照试验研究。分别研究了存储阵列,译码电路以及电荷泵等不同电路模块所引起的失效表征,利用错误位的逻辑地址映射图,总结错误分布规律,结合相应电路结构对其失效机理进行分析。辐照存储阵列会导致规则分布的0→1翻转错误,而译码电路出错会导致1→0的错误,电荷泵电路退化则会导致器件擦除和写入功能的失效。微束辐照结果可以有效补充全芯片总剂量效应考核的不足,为器件的抗辐射加固提供有益的参考。 闫逸华 陈伟 郭红霞 范如玉 邓玉良 郭晓强 丁李利 林东生 张科营 张凤祁关键词:FLASH ROM 一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法 本发明涉及一种处理器单粒子效应的频率响应的测试系统及方法,包括被测处理器、被测处理器I/O管脚配置系统、中心控制系统等。被测处理器I/O管脚配置系统是中心控制系统与不同处理器之间的接口,它是由现场可编程门阵列(FPGA)... 张科营 罗尹虹 郭红霞 姚志斌 郭晓强 张凤祁 王园明 王忠明 闫逸华 丁李丽 赵雯 王燕萍文献传递 辐照偏置影响深亚微米MOS器件总剂量效应的理论研究 被引量:5 2013年 由理论公式推导出辐照偏压影响MOS器件总剂量效应宏观电学参数的解析表达,并给出器件仿真结果加以验证。在总剂量效应未达到饱和的情况下,截止态漏电流由辐照偏压和累积剂量的关系式唯一确定。引入等效累积剂量的概念,用于将MOS器件实际工作中的各类偏置映射为最劣偏置状况,进而利用实测数据求取对应的电学响应。所得单管解析表达式应用到电路仿真中能反映电路在不同偏置情况下的总剂量效应,可用于甄别电路的最劣辐照偏置状态。 丁李利 郭红霞 陈伟 范如玉 王忠明 闫逸华 陈雷 孙华波关键词:总剂量效应 MOS器件 解析模型 累积辐照影响静态随机存储器单粒子翻转敏感性的仿真研究 被引量:4 2013年 基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值及引入累积辐照后的变化趋势.同时借助仿真模拟计算了0.18μm工艺对应的六管SRAM单元在对应不同累积剂量情况下,离子分别入射不同中心单管时的电学响应变化,计算结果与解析分析所得推论相一致,即只有当累积辐照阶段与单粒子作用阶段存储相反数值时,SRAM单元的单粒子翻转敏感性才会增强. 丁李利 郭红霞 陈伟 闫逸华 肖尧 范如玉关键词:单粒子翻转 静态随机存储器 一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统 本发明涉及一种适于辐射效应测试的信号延迟自动补偿方法及系统,本发明系统包括时钟相位调整模块、校验向量生成模块和延迟补偿判断模块;本发明方法中采用了一种可调节相位的时钟采集经过长线传输的信号,该采样时钟相位调整到可以使信号... 张科营 张凤祁 罗尹虹 郭红霞 姚志斌 王园明 郭晓强 王忠明 闫逸华 丁李丽 赵雯 王燕萍文献传递