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郭先清

作品数：5 被引量：9H指数：2
供职机构：厦门大学物理与机电工程学院物理学系更多>>
发文基金：厦门市科技计划项目更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇电路
  • 2篇调制
  • 2篇调制器
  • 2篇调制器设计
  • 2篇量子
  • 2篇量子效应
  • 2篇开关电容
  • 2篇开关电容电路
  • 2篇级联
  • 2篇SIGMA-...
  • 1篇低压
  • 1篇气相
  • 1篇量子点
  • 1篇纳米硅
  • 1篇开关
  • 1篇级联结构
  • 1篇硅量子点
  • 1篇过采样
  • 1篇过采样率
  • 1篇非理想因素

机构

  • 5篇厦门大学

作者

  • 5篇郭先清
  • 2篇吴孙桃
  • 2篇林凡
  • 2篇刘继伟
  • 2篇高鹏
  • 2篇高文秀

传媒

  • 1篇微电子学与计...
  • 1篇黑龙江科技学...
  • 1篇纳米科技
  • 1篇第三届中国(...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2004
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
三阶级联Sigma-Delta调制器设计
本文设计了三阶级联Sigma-Delta调制器，工作主要有两大块： (1)设计了一种应用于低压，低失真开关电容(SwitchCapacitor)电路的体效应补偿开关结构。该开关电容电路可实现轨至轨(Rail-t...
郭先清
关键词：开关电容电路过采样率
文献传递
三阶级联Sigma-Delta调制器设计被引量：7
2007年
介绍2-1级联的三阶调制器设计结构,讨论信号比例系数、积分增益系数和电路非理想特性对调制器系统的性能影响;运用SIMULINK对调制器建模并仿真,模型中考虑开关电容积分器的非理想因素对整个调制器的影响,并通过调整信号比例和积分增益系数来确定调制器性能和电路要求。当采样率为125和时钟频率2.50MHz时,该模型结构得到93dB的信噪失真比,可应用于实际的电路系统。
郭先清林凡吴孙桃
关键词：级联结构非理想因素
纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应
2004年
用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(10^11cm^-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一步利用自组织生成的硅量子形成具有悬浮栅极的MOS单元，验证了硅量子点的量子效应。
高文秀刘继伟高鹏郭先清
关键词：LPCVD量子效应
一种适用于低压SC电路的体效应补偿开关
2006年
为了减少NMOS开关阈值电压变化引起的信号失真,设计了一种适用于低压开关电容电路的体效应补偿开关,并利用该电路实现了一阶非反相开关电容(SC)低通滤波器。基于0.5μm标准CMOS工艺(Vtno=0.7 V,Vtpo=1.0 V)的SPICE仿真和总谐波失真(THD)的仿真结果表明:该电路具有很好的线性特性,采用该电路能够达到更优越的性能。
郭先清林凡吴孙桃
关键词：低压开关电容电路
纳米硅量子点的自组织形成及其量子效应
用减压气相淀积法(LPCVD)，在二氧化硅以及石英基板上自组织形成了高密度的(～1011cm-2)纳米尺寸的半球状硅单晶粒(硅量子点)，并进一步利用自组织生成的硅量了形成具有悬浮栅极的MOS单元，验证了硅量子点的量子效应...
高文秀刘继伟高鹏郭先清
关键词：纳米硅硅量子点量子效应
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