您的位置: 专家智库 > >

赵海花

作品数:15 被引量:10H指数:2
供职机构:安泰科技股份有限公司更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程电子电信更多>>

文献类型

  • 11篇专利
  • 4篇期刊文章

领域

  • 4篇一般工业技术
  • 3篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 9篇负极
  • 9篇负极材料
  • 6篇石墨
  • 6篇石墨粉
  • 6篇硫化
  • 6篇复合负极材料
  • 5篇纳米
  • 4篇硫化钼
  • 4篇二硫化钼
  • 3篇电池
  • 3篇纳米级
  • 2篇电化学
  • 2篇电容量
  • 2篇正极
  • 2篇正极材料
  • 2篇石墨粉末
  • 2篇石墨复合
  • 2篇碳热还原
  • 2篇体积效应
  • 2篇前驱体

机构

  • 15篇安泰科技股份...

作者

  • 15篇赵海花
  • 14篇周少雄
  • 11篇曾宏
  • 11篇武英
  • 6篇况春江
  • 4篇卢志超
  • 4篇阎有花
  • 4篇李德仁
  • 4篇方玲
  • 4篇刘迎春
  • 3篇闫东伟
  • 2篇李艳萍
  • 2篇李苞
  • 1篇戚雯
  • 1篇朱景森
  • 1篇胡小萍
  • 1篇侯立婷
  • 1篇李晓林

传媒

  • 1篇稀有金属
  • 1篇物理测试
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇功能材料与器...

年份

  • 1篇2019
  • 1篇2018
  • 3篇2017
  • 2篇2016
  • 3篇2015
  • 1篇2014
  • 4篇2008
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
硫化温度对CuInS_2吸收层薄膜微结构的影响被引量:4
2008年
摘要:采用电沉积一硫化法制备了CuInS2(CIS)薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)和能谱仪(EDS)等实验手段对CIS薄膜的晶体结构、形貌和,组分进行了表征。结果表明:在500~560℃硫化温度范围内制备的CIS薄膜表面均生成金属性Cu2S二元相,后续的KCN刻蚀处理CuxS二元相可去除。硫。化温度为540℃制得的CIS薄膜高质量结晶、具有[112]择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
关键词:硫化温度
一种WS2‑C纳米复合负极材料及其制备方法
本发明公开了一种WS<Sub>2</Sub>‑C纳米复合负极材料及其制备方法。在该复合材料中,纳米WS<Sub>2</Sub>颗粒均匀分布于石墨基体中,纳米WS<Sub>2</Sub>颗粒的粒径为10‑80nm,纳米复合...
曾宏赵海花武英周少雄
文献传递
二元硫化物与C纳米复合负极材料及其制备方法
本发明公开了一种二元硫化物与C纳米复合负极材料及其制备方法,该材料表示为如下结构式:(WS<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(MoS<Sub>2</Sub>)<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Su...
曾宏武英赵海花况春江周少雄
二元硫化物与C纳米复合负极材料及其制备方法
本发明公开了一种二元硫化物与C纳米复合负极材料及其制备方法,该材料表示为如下结构式:(WS<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(MoS<Sub>2</Sub>)<Sub>y</Sub>C<Sub>z</Su...
曾宏武英赵海花况春江周少雄
文献传递
一种锂离子电池用金属磷化物负极材料及其制备方法
本发明涉及一种锂离子电池用金属磷化物负极材料及制备方法,属于电化学电源材料领域。该负极材料由金属磷化物和石墨复合而成,所述石墨包覆于所述金属磷化物的表面;其中,在所述负极材料中石墨的质量百分比为5%‑80%;本发明提供的...
戚雯李晓林赵海花武英曾宏闫东伟胡小萍侯立婷
文献传递
硫化对Cu-In预制膜微结构的影响
2008年
采用电沉积-硫化法制备了CuInS2薄膜,考察了硫源温度对CuInS2薄膜微结构的影响,并分析了硫化过程中的反应动力学。采用扫描电子显微镜(SEM)和能谱仪(EDS)观察并分析了薄膜的表面形貌和组分,采用X射线衍射仪(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,硫化过程的生长动力学不同于硒化过程,CuInS2薄膜的生长遵循扩散机制,当硫源温度在300~340℃之间,均可制得单一黄铜矿相结构且沿(112)面择优取向生长的CuInS2薄膜,且硫源温度为340℃制备的CuInS2薄膜均匀、致密,晶粒尺寸约为1μm,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
阎有花刘迎春方玲赵海花朱景森李德仁卢志超周少雄
一种WS<Sub>2</Sub>-MoS<Sub>2</Sub>-C复合负极材料及其制备方法
本发明公开了一种WS<Sub>2</Sub>-MoS<Sub>2</Sub>-C复合负极材料及其制备方法,该材料表示为如下结构式:(WS<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(MoS<Sub>2</Sub>)...
曾宏武英赵海花周少雄
纳米片状三元或富锂锰基固溶体正极材料前驱体制备方法
本发明属于电极材料制备领域,具体涉及一种纳米片状三元或富锂锰基固溶体正极材料前驱体的制备方法。该方法将配制成的金属盐溶液、沉淀剂和模板剂混合溶液、模板剂溶液在反应内进行液-液共沉淀反应,得到沉淀物;再对沉淀物进行过滤处理...
闫东伟李苞李艳萍赵海花曾宏武英况春江周少雄
一种WS2‑MoS2‑C复合负极材料及其制备方法
本发明公开了一种WS<Sub>2</Sub>‑MoS<Sub>2</Sub>‑C复合负极材料及其制备方法,该材料表示为如下结构式:(WS<Sub>2</Sub>)<Sub>x</Sub>(MoS<Sub>2</Sub>)...
曾宏武英赵海花周少雄
文献传递
Cu_7In_3前驱膜制备(112)择优取向CuInS_2薄膜被引量:1
2008年
为考察具有Cu_7In_3相结构的Cu-In前驱膜对CuInS_2薄膜微结构的影响,采用电沉积法制备了Cu-In薄膜,并对制备态Cu-In薄膜在380℃进行真空退火处理制备Cu_7In_3前驱膜。采用硫化法对制备态Cu-In薄膜和Cu_7In_3薄膜进行硫化处理制备了CIS薄膜。结果表明,两种前驱膜经硫化处理均在表面生成Cu_xS偏析相,经KCN刻蚀处理发现以Cu_7In_3为前驱膜制备的CuInS_2薄膜高质量结晶,具有(112)择优取向,适合于制备CIS薄膜太阳能电池吸收层。
阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄
关键词:太阳电池
共2页<12>
聚类工具0