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袁洪涛

作品数:13 被引量:26H指数:3
供职机构:北京航空航天大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信理学一般工业技术经济管理更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 4篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇经济管理

主题

  • 9篇晶须
  • 6篇金属有机物
  • 5篇金属有机物化...
  • 4篇形貌特征
  • 4篇浓度梯度
  • 4篇MOCVD
  • 4篇MOCVD法
  • 3篇氧化物
  • 3篇ZNO
  • 2篇压电薄膜
  • 2篇压电双晶片
  • 2篇氧化锌
  • 2篇氧化锌晶须
  • 2篇气相沉积
  • 2篇半导体
  • 2篇ZNO压电薄...
  • 2篇ZNO薄膜
  • 1篇带隙
  • 1篇液氮
  • 1篇一维材料

机构

  • 13篇北京航空航天...

作者

  • 13篇袁洪涛
  • 11篇张跃
  • 6篇谷景华
  • 2篇林煌
  • 2篇张阳
  • 2篇童强
  • 1篇宋强
  • 1篇王树彬
  • 1篇程进
  • 1篇张雪川

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇北京航空航天...

年份

  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 7篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
13 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
MOCVD法制备高定向ZnO晶须
ZnO是一种具有优良的压电、光电、透明导电、气敏、压敏等性质的材料。采用大气开放式的MOCVD技术,在不需要真空的条件下以Zn(CHO)为原料在玻璃基片上制备出了高密布高定向的ZnO晶须。使用扫描电子显微镜对晶须形貌进行...
袁洪涛张跃
关键词:晶须ZNOMOCVD晶体取向
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MOCVD制备定向生长ZnO压电薄膜
采用大气开放式金属有机化合物化学气相沉积(A-MOCVD)的方法,在普通多晶黄铜基片上制备ZnO薄膜.薄膜的SEM、XRD结果表明ZnO沿C轴取向垂直生长在基片上.综合分析ZnO自身晶体生长习性,提出了ZnO薄膜在普通多...
林煌袁洪涛童强张阳张跃
关键词:ZNO薄膜MOCVD压电双晶片
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采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置,经该方法沉积出的一维晶须阵列材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征;与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是,该技术采用沿...
张跃袁洪涛谷景华
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我国家电企业应对绿色贸易壁垒的策略研究
该文通过对绿色贸易壁垒的产生过程、特点及表现形式进行分析,并对中国家电行业面对的欧美主要市场的环境标准进行较为详尽的阐述,提出中国家电行业所面临的绿色贸易壁垒.对家电贸易状况的分析和评价,凸显绿色贸易壁垒对家电行业出口的...
袁洪涛
关键词:绿色贸易壁垒环境标准出口贸易绿色产品
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气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置,经该方法沉积出的一维晶须阵列材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征;与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是,该技术采用沿...
张跃袁洪涛谷景华
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MOCVD法制备一维定向ZnO晶须阵列及掺杂研究被引量:10
2005年
采用大气开放式MOCVD技术,以Zn(C5H7O2)2为前驱物,在玻璃和单晶硅基片上生长了沿c轴高度定向、规则排布的氧化锌晶须阵列。在此基础上,采用多气路输送不同金属有机源的方法,进行了ZnO晶须的掺杂,制备了掺铝元素的一维定向晶须阵列。XRD结果表明未掺杂ZnO晶须为六方纤锌矿结构,沿c轴高度取向;掺铝ZnO晶须晶体结构仍为六方纤锌矿结构,沿c轴择优取向。SEM结果显示,未掺杂的ZnO晶须阵列排布规则,长径比达到20;掺杂ZnO晶须随着铝掺杂浓度的增加,晶须的形貌及排布规则性变差。
张雪川张跃袁洪涛王树彬
关键词:ZNO晶须MOCVD
采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置,经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征;与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是,该技术采用沿基片法...
张跃袁洪涛谷景华
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一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置
本实用新型公开了一种制备氧化锌晶须阵列材料的装置,所述的装置顺着气路通道依次安装有控制氮气流量的流量计、去除氮气中水分的液氮冷阱、将金属有机物气化的气化室、容纳金属有机物气体的喷嘴装置,以及位于喷嘴装置下方对基片加热的基...
张跃袁洪涛谷景华
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气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置
本发明公开了一种采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备ZnO晶须的方法及其装置,经该方法沉积出的ZnO一维晶须材料具有规整排列、定向生长、高密度的形貌特征;与传统金属有机物化学气相沉积的方法不同的是,该技术采用沿基片法...
张跃袁洪涛谷景华
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MOCVD法制备一维氧化锌晶须阵列材料
ZnO材料在光电、压电、气敏、压敏等许多方面具有优异的性能.宽禁带ZnO半导体为直接带隙,室温带隙为3.37V,且束缚激子能高达60meV,是一种具有很大潜在应用价值的紫外半导体光电器件材料.优良的性能和广泛的应用使人们...
袁洪涛
关键词:ZNO宽带隙半导体金属有机物化学气相沉积
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共2页<12>
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