衡成林
- 作品数：10 被引量：14H指数：1
- 供职机构：北京理工大学物理学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学环境科学与工程更多>>
- 不同制备方法生长的铕掺杂富硅氧化硅薄膜发光比较
- 我们比较研究了用化学气相沉积和磁控溅射制备的铕掺杂富硅氧化硅(Eu-SRSO)薄膜的发光性质。发现采用化学气相沉积方法制备的Eu-SRSO,Eu 离子主要以二价态存在于薄膜中;在Ar+H2中退火后,发光峰位变得更加明锐。...
- 衡成林李晶P.Mascher
- 关键词：硅基发光稀土掺杂富硅氧化硅化学气相沉积磁控溅射
- 文献传递
- RF磁控溅射技术制备纳米硅被引量：1
- 2002年
- 利用硅-SiO2复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅量不同的SiO2薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火。利用x射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析,结果表明三种样品都存在纳米硅粒子。使用高分辨率透射电子显微镜和电子衍射技术研究了退火后样品中纳米硅粒子析出和结晶情况,富硅量较大的两种SiO2薄膜都观测到纳米硅晶粒。统计结果表明:复合靶中硅组分从20%增加到30%,纳米硅晶粒的平均尺寸增加了15%、密度增加了2.5倍,而且随着退火温度从900℃增加到1100℃,纳米硅晶粒的平均尺寸和密度都明显增加。
- 马振昌宗婉华衡成林秦国刚吴正龙
- 关键词：磁控溅射射频纳米硅
- RF磁控溅射技术制备纳米硅
- 利用硅-SiO<,2>复合靶,RF磁控溅射技术制备了三种富硅不同的SiO<,2>薄膜,并在较大的温度范围内进行了退火.利用X射线光电子能谱,对刚淀积的样品进行了分析.结果表明三种样品都存在纳米硅粒子.使用高分辨率透射电子...
- 马振昌衡成林秦国刚吴正龙
- 关键词：磁控溅射
- 文献传递
- 功能化氧化石墨烯的细胞相容性(英文)被引量：12
- 2012年
- 采用改进的Hummers方法制备了纳米尺度的氧化石墨烯.对氧化石墨烯的表面进行羧基化,并连接上聚乙二醇(PEG)使其在细胞培养液中可溶并能稳定保存.采用透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外(FTIR)光谱和zeta电位测量等对修饰后的氧化石墨烯的结构和功能进行了表征.体外细胞实验表明PEG修饰的氧化石墨烯在水中具有良好的可溶性,对A549细胞没有明显的毒性,在生物医药领域具有潜在的应用价值.
- 张晓杨蓉王琛衡成林
- 关键词：氧化石墨烯纳米材料生物相容性表面功能化
- 几种半透明金膜/(纳米半导体/纳米SiO<,2>)多层膜/Si结构电致发光研究
- 该论文着重研究了半透明Au膜/ (纳米半导体/纳米SiO<,2>)多层膜/Si结构的电致发光及其特性,其中的纳米半导体/纳米SiO<,2>多膜有如下几种:Si/SiO<,2>超晶格,Ge/SiO<,2>超晶格,GaAs/...
- 衡成林
- 关键词：硅基发光电致发光发光中心
- (Ce,Yb)共掺杂氧化硅薄膜的发光特性及结构
- 2014年
- 采用磁控溅射技术在单晶硅衬底上制备了稀土(Ce,Yb)共掺杂氧化硅薄膜,研究了薄膜样品的结构和下转换发光性质。样品的发光光谱显示,在He-Cd激光器325 nm线的激发下,Ce3+离子的发光强度较弱而Yb3+离子的发光较强;Yb3+的发光随着退火温度的升高逐渐增强;这些结果加上样品的激发光谱和衰变光谱,都显示样品中发生了Ce3+到Yb3+的能量传递过程。X射线衍射结果表明,样品在高温退火时(大于1 000℃)出现晶化,形成了Ce和Yb的硅酸盐结构。笔者认为利用高温退火形成Ce的硅酸盐结构可以明显增强Yb3+的发光,从而提高薄膜的下转换发光效率。
- 李晋桃衡成林张红艳殷鹏刚
- 关键词：下转换发光稀土掺杂氧化硅薄膜
- GaAs/SiO_2超晶格的制备和Raman光谱研究
- 2000年
- 我们采用射频磁控溅射方法在 p- Si衬底上成功地制备出四周期的非晶 Ga As/Si O2超晶格 ,并取得其高分辨率电镜像。以 80 0℃快速退火方法使超晶格中非晶的 Ga As层局部晶化 ,利用 Raman散射谱研究了其结构变化。
- 衡成林王孙涛秦国刚王敬王永鸿陈坚邦濮玉梅陈晶
- 关键词：超晶格砷化镓拉曼光谱
- 不同电极构型的砷烯和砷化锑扩展分子的电子输运性质
- 2020年
- 通过杂化密度泛函理论和弹性散射格林函数方法,计算了不同电极结构的Au-As-Au和Au-AsSb-Au扩展分子的电子输运性质。结果表明,在两种Au-As-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通,并在0.5 V时达到较宽的3.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在0.4 V之前几乎没有电流,之后缓慢增加并在1.5 V达到与类型Ⅰ相同的饱和电流。这说明不同的电极接触方式改变了砷烯扩展分子的分子轨道性质,但是并未改变它们的最大电流导通能力。在两种Au-AsSb-Au扩展分子中,类型Ⅰ扩展分子容易导通并在0.5 V时达到较宽的1.8 nA饱和电流;类型Ⅱ扩展分子在1.0 V之前电流增加缓慢,之后迅速增加并在1.25 V达到1.0 nA饱和电流。对比发现,类型Ⅰ扩展分子容易导通且具有较宽的电流平台值;类型Ⅱ扩展分子不易导通,之后会达到一个较窄的电流平台值,这使砷类分子器件具备了更丰富的电子输运性质,从而在电路中满足稳恒输出、阈值开关、线性响应的不同要求。
- 杨亚杰苏文勇衡成林王锋
- 关键词：电子输运饱和电流
- Au/(SiO_2/Si/SiO_2)纳米双势垒/n^+-Si结构的电致发光研究被引量：1
- 2000年
- 利用射频磁控溅射方法 ,在n+ Si衬底上淀积SiO2 /Si/SiO2 纳米双势垒单势阱结构 ,其中Si层厚度为 2至 4nm ,间隔为 0 .2nm ,邻近n+ Si衬底的SiO2 层厚度固定为 1.5nm ,另一SiO2 层厚度固定为 3nm .为了对比研究 ,还制备了Si层厚度为零的结构 ,即SiO2 (4.5nm) /n+ Si结构 .在经过 6 0 0℃氮气下退火 30min ,正面蒸上半透明Au膜 ,背面也蒸Au作欧姆接触后 ,所有样品都在反向偏置 (n+ Si的电压高于Au电极的电压 )下发光 ,而在正向偏压下不发光 .在一定的反向偏置下 ,电流和电致发光强度都随Si层厚度的增加而同步振荡 ,位相相同 .所有样品的电致发光谱都可分解为相对高度不等的中心位于 2 .2 6eV(5 5 0nm)和 1.85eV(6 70nm)两个高斯型发光峰 .分析指出该结构电致发光的机制是 :反向偏压下的强电场使Au/ (SiO2 /Si/SiO2 )纳米双势垒 /n+ Si结构发生了雪崩击穿 ,产生大量的电子 空穴对 ,它们在纳米SiO2 层中的发光中心 (缺陷或杂质 )上复合而发光 .
- 孙永科衡成林王孙涛秦国刚马振昌宗婉华
- 关键词：电致发光
- 稀土铈掺杂氧化锌薄膜的结构和紫外发光研究
- 稀土掺杂氧化锌(ZnO)薄膜，在紫外光探测、激光器、光催化等许多方面具有非常重要的应用[1]。我们采用磁控共溅射法制备了不同浓度的稀土铈(Ce)掺杂ZnO 纳米晶薄膜，研究了退火温度和掺杂浓度对薄膜的结构和发光性质的影响...
- 衡成林王硕飞向位费海峰许宏军吴汉春
- 关键词：氧化锌薄膜CE掺杂磁控溅射
