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石磊

作品数：5 被引量：4H指数：1
供职机构：北京工业大学电子信息与控制工程学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金博士研究生创新基金更多>>
相关领域：电子电信电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信
  • 1篇电气工程

主题

  • 3篇电子迁移率
  • 3篇应力
  • 3篇迁移率
  • 3篇晶体管
  • 3篇高电子迁移率
  • 3篇高电子迁移率...
  • 3篇ALGAN/...
  • 3篇ALGAN/...
  • 2篇可靠性
  • 2篇HEMT
  • 1篇电解电容
  • 1篇电流
  • 1篇电容
  • 1篇电容量
  • 1篇电压
  • 1篇电源
  • 1篇动态应力
  • 1篇栅电流
  • 1篇瞬态
  • 1篇驱动电源

机构

  • 5篇北京工业大学

作者

  • 5篇冯士维
  • 5篇石磊
  • 4篇张亚民
  • 3篇郭春生
  • 2篇朱慧
  • 2篇李睿
  • 2篇闫鑫
  • 1篇万宁
  • 1篇岳元
  • 1篇熊聪
  • 1篇马卫东
  • 1篇张燕峰
  • 1篇孟庆辉
  • 1篇刘琨
  • 1篇邓兵

传媒

  • 2篇半导体技术
  • 2篇物理学报
  • 1篇照明工程学报

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 1篇2014
  • 1篇2013
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
动态应力对AlGaN/GaN HEMT性能的影响被引量：1
2015年
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件在实际应用过程中经常受到由于振动、热胀冷缩等原因引起的动态应力。为了研究动态应力对器件性能带来的影响,利用自主设计的应力机械装置对AlGaN/GaN HEMT芯片持续施加峰值大小为150 MPa,频率为3 Hz的交变应力。施加应力过程中,每隔一定的应力周期对器件进行电学特性测量,得到了不同应力周期下的输出特性曲线和转移特性曲线。研究分析了随着应力周期的增加输出电流和跨导的变化,研究结果表明,器件的输出电流和跨导随着施加动态应力周期的增加而减小。随着动态应力的加载,器件将产生缺陷,是器件发生退化的原因。
刘琨朱慧冯士维石磊张亚民郭春生
关键词：交变应力KINK效应
AlGaAs/InGaAs PHEMT栅电流参数退化模型研究被引量：1
2013年
为定量研究在PHEMT栅电流退化过程中,不同失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例,本文基于退化过程中物理化学反应中反应量浓度与反应速率的关系,建立了PHEMT栅电流参数退化模型.利用在线实验的方法获得PHEMT电学参数的退化规律,分析参数随时间的退化规律,得到不同时间段内影响栅电流退化的失效机理,并基于栅电流参数退化模型,得到了不同的失效机理对应的参数退化时间常数及退化比例.
万宁郭春生张燕峰熊聪马卫东石磊李睿冯士维
关键词：PHEMT栅电流肖特基接触
开态应力下电压和电流对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化作用研究
2015年
通过采集等功率的两种不同开态直流应力作用下Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管(HEMTs)漏源电流输出特性、源区和漏区大信号寄生电阻、转移特性、阈值电压随应力时间的变化,并使用光发射显微镜观察器件漏电流情况,研究了开态应力下电压和电流对Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管的退化作用.结果表明,低电压大电流应力下器件退化很少,高电压大电流下器件退化较明显.高电压是HEMTs退化的主要因素,栅漏之间高电场引起的逆压电效应对参数的永久性退化起决定性作用.除此之外,器件表面损坏部位的显微图像表明低电压大电流下器件失效是由于局部电流密度过高,出现热斑导致器件损伤引起的.
石磊冯士维石帮兵闫鑫张亚民
关键词：ALGAN/GAN高电子迁移率晶体管电压电流
AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的可靠性被引量：2
2014年
利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W。比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响。并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻RS/RD和栅源正向I-V特性在击穿后能得到恢复。AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因。
冯士维邓兵张亚民石磊郭春生朱慧
关键词：应力可靠性
150W LED驱动电源高温开关可靠性研究
2016年
针对电解电容在LED驱动电源失效率高的问题,设计了LED驱动电源高温开关实验。LED驱动电源主要包括EMC滤波、PFC转换、PWM控制和DC/DC变换模块,其中最薄弱的环节是DC/DC变换模块中的滤波电解电容。电解电容在长期的工作中电解液会损耗,进而导致电容量下降,滤波功能退化,出现失效现象。在实验过程中对LED驱动电源重要参数进行记录,得出变化情况。实验后解剖驱动电源,取出电解电容,对其重要参数进行考核,分析出主要退化原因,对后续的研究具有重要意义。
闫鑫冯士维张亚民岳元孟庆辉石磊李睿
关键词：LED驱动电源可靠性电解电容电容量
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