瞿发俊
- 作品数：2 被引量：0H指数：0
- 供职机构：苏州大学物理科学与技术学院（能源学院）物理学系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 射频磁控溅射SiC晶体制备碳化硅薄膜的研究
- 碳化硅（SiC）作为一种宽带隙半导体材料,是继Si,Ge和GaAs后的第三代电子材料的典型代表,它具有优良的热稳定性和化学稳定性、较大热导率、高电子迁移率、高电子饱和漂移速度、高击穿场强、低介电常数等优点,近年来,SiC...
- 瞿发俊吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：射频磁控溅射
- 文献传递
- 双离子束溅射制备非晶SiO_xN_y薄膜的强黄光发射(英文)
- 2006年
- 用双离子束溅射法制备了SiOxNy薄膜,并对薄膜的结构和光致发光(PL)性质进行了研究。XRD和TEM的实验结果表明薄膜是非晶结构;用XPS对样品进行了表征,在397.8eV位置处出现一个对应于N1s的对称峰,表明样品中的N原子主要与Si原子结合,FTIR的实验结果也说明了这一点。光吸收测量结果显示SiOxNy薄膜的光学带隙比Si—SiO2薄膜宽。在225nm波长的激发下,测得在590nm处有强的黄光发射,并利用能带模型讨论了可能的发光机制。
- 瞿发俊徐华吴雪梅诸葛兰剑
- 关键词：光学带隙
