李彦波
- 作品数：16 被引量：8H指数：2
- 供职机构：河北大学电子信息工程学院更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术理学文化科学更多>>
- 低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析
- 1997年
- 本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型。
- 薄仕群李彦波张旭东
- 关键词：晶体管温度特性
- 数字化音量通道的模拟控制
- 1997年
- 提出了一种全新概念的音量控制方法,给出了实用电路,并且导出了分压电阻的递推公式。
- 李彦波张旭东
- 关键词：噪声音量控制电压比较器
- 基于自训练大间隔近邻的人脸识别
- 2015年
- 人脸图像是潜在高维空间的低维流形。流行的本质上表现为特征变化的连续性缓慢性,也表现在空间的相邻性。本文提出了一种基于自训练的大间隔近邻方法,通过自训练迭代,使类内样本尽可能紧凑,类间样本保持一定大距离,在邻域内标记无标记样本。实验证明,该方法在小样本情况下拥有相对较好的识别度。
- 赵一儒李昆仑李彦波
- 关键词：人脸识别
- 实用两线制角位移变送器
- 本文介绍了一种采用电位器作传感顺的实用两线制角位移变送器.对其电路原理、调试要点作了详细介绍.其电路精度优于0.05﹪FS,具备零点和满度迁移功能,输出为4~20mA,负载能力为0~950Ω.本变送器电路简洁、精度高、成...
- 李彦波王永青施宁孙荣霞万真真
- 关键词：角位移两线制变送器受控恒流源
- 文献传递
- 低温硅双极晶体管电流增益研究被引量：1
- 1998年
- 着重分析了多晶硅发射极对提高电流增益的作用和低温下集电区中性杂质碰撞电离引起的电流倍增效应。导出多晶硅发射极晶体管电流增益的表达式，很好地解释了实验结果。
- 李彦波薄仕群
- 关键词：硅双极晶体管多晶硅发射极
- 单Mo和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO_2的电子结构计算
- 2014年
- 利用基于密度泛函理论的第一性原理计算了Mo单掺杂和Mo/S共掺杂锐钛矿相TiO2的能带结构、电子分态密度、电子密度和吸收光谱。结果表明,Mo单掺杂在锐钛矿相TiO2导带底下方引入了两条主要由Mo 4d轨道组成的掺杂能级,而Mo/S共掺杂在TiO2的禁带之内共引入了四条掺杂能级,位于价带顶上方的两条主要由S 3p轨道组成,而位于导带底下方的两条掺杂能级则主要由Mo 4d和S 3p轨道杂化形成。Mo单掺杂和Mo/S共掺杂分别使TiO2的禁带宽度增大0.36 eV和0.43 eV,从而出现吸收带边的蓝移。电子密度图表明,Mo单掺杂对TiO2的晶格影响较小,但Mo/S共掺杂则使TiO2的晶格畸变程度加大。
- 郑树凯李文明闫小兵李彦波
- 关键词：掺杂锐钛矿相第一性原理电子结构吸收光谱
- 高等学校电子类专业实验教学改革与思考被引量：2
- 2002年
- 针对当前众多高等学校实验教学工作的现状,分析了当前影响实验教学质量提高的主要因素;为了在现有的人力、物力基础上进一步培养学生的创新意识和实践能力,结合电子类专业实验教学经验,就改革实验教学体制、管理体制、教学内容、教学手段及师资队伍建设等方面提出了探索性的思路。
- 张欣王永青郭宝增李彦波
- 关键词：电子类专业实验教学教学改革教学体制
- 水温控制系统被引量：1
- 2001年
- 介绍了用模糊控制思想对PID参数进行实时整定方法进行水温控制的单片机系统 ,介绍了PID参数模糊整定的方法和系统软、硬件的构成 .
- 娄建忠李彦波王永青孙荣霞郭宝增
- 关键词：模糊控制单片机PID调节水温控制系统
- 硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性分析及其应用
- 1990年
- 本文对硅双极晶体管的h_(FE)温度相关性进行了全面的分析,指出它主要受发射区重掺杂效应支配,也与载流子不同温度下的析出率及载流子迁移率和E_g随温度变化而变化有关。导出了h_(FE)相对变化率的表达式,并由此设计制造了一种低温度变化率的晶体管。
- 翟冬青李彦波张振岭
- 关键词：双极晶体管温度HFE
- 低温下硅双极晶体管击穿电压的温度特性与分析
- 1997年
- 给出了从２００～１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释。
- 李彦波薄仕群张旭东
- 关键词：硅双极晶体管击穿电压
