高建军
- 作品数：55 被引量：36H指数：3
- 供职机构：华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程电气工程更多>>
- 基于复合左右手超材料结构的频率扫描漏波天线
- 本发明公开了一种复合左右手超材料结构频率扫描漏波天线，本发明由介质基板、顶部金属面板、底部金属面板及金属管构成；本发明采用复合左右手超材料单元结构，基于复合左右手超材料设计原理，在顶部金属面板设置开槽、顶部与底部金属面板...
- 杨旺辉翟国华彭臻高建军
- 文献传递
- 基于90 nm InP HEMT工艺的220 GHz功率放大器设计被引量：1
- 2022年
- 基于90 nm InP HEMT工艺,设计了一款220 GHz功率放大器太赫兹单片集成电路,该放大器采用片上威尔金森功分器结构实现了两路五级共源放大器的功率合成。在片测试结果表明,200~230 GHz频率范围内,功率放大器小信号增益平均值18 dB。频率为210~230 GHz范围内该MMIC放大器饱和输出功率优于15.8 mW,在223 GHz时最高输出功率达到20.9 mW,放大器芯片尺寸为2.18 mm×2.40 mm。
- 陈艳孟范忠方园张傲高建军
- 片上螺旋变压器的几何结构设计与优化
- 射频集成电路中片上系统(SOC)的迅猛发展,单片无源器件,包括电感、电容、变压器和巴伦等,已被广泛应用在射频集成电路设计中,尤其是片上螺旋变压器,它可以实现阻抗变换、谐振负载、低噪声反馈、带宽增强以及差分到单端转换等功能...
- 程冉高建军
- 关键词：集成电路设计
- 基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型的研究
- 本文对基于T-π网络转换的异质结双极晶体管等效电路模型进行了研究。简化了HBT等效电路模型的网络参数计算方法,提出的π型等效电路模型包含有两个受控源并且和商用电路模拟软件相兼容。
- 张傲高建军
- 关键词：等效电路模型异质结双极晶体管
- 文献传递
- 异质结双极晶体管小信号等效电路模型不唯一性讨论
- 本文讨论了异质结双极晶体管（HBT）小信号等效电路模型的不唯一性。给出了HBT效电路模型中转换法和直接提取法两种参数提取方法进行了比较。实验结果表明上述两种模型均能很好的反映器件物理机理,模型的精度也不相上下,即HBT器...
- 张傲高建军
- 文献传递
- 110 GHz铟磷异质结双极晶体管小信号模型参数提取方法（英文）被引量：7
- 2018年
- 介绍了一种可以用于频率高达110GHz的InP基HBT小信号模型模型参数提取方法,并且在所提出的模型中考虑了基极馈线的趋肤效应.该方法将直接提取和优化技术相结合,将本征参数描述为寄生电阻的系列函数进行后续优化.实验结果表明在2～110GHz频率范围内S参数吻合很好.
- 张傲张译心王博冉高建军
- 关键词：等效电路模型异质结双极晶体管
- 一种改进的基于110 GHz在片S参数测试的HEMT器件寄生电阻提取方法
- 2024年
- 提出了一种改进的高电子迁移率晶体管寄生电阻提取方法,该方法利用了特殊偏置点(V_(gs)>V_(th),V_(ds)=0V)的等效电路模型,推导了寄生电阻的表达式,采用半分析法对寄生电阻进行了优化。1~110 GHz S参数实测结果和仿真的S参数一致,证明该方法是有效的。
- 李织纯吕渊婷张傲高建军
- 关键词：等效电路模型寄生电阻
- 基于Statz模型的射频MOSFET非线性电容建模被引量：1
- 2019年
- 研究了Statz模型对于表征射频(RF)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件特性的适用情况,并提出了一个MOSFET非线性电容改进模型。对英飞凌公司生产的规格为4×0.6μm×18(栅指数×栅宽×元胞数)、栅长为90 nm的MOSFET进行S参数实验测量。经过去嵌剥离所有寄生元件后,在多个偏置条件下分别使用小信号等效电路模型提取出MOSFET非线性栅源电容C_(gs)和栅漏电容C_(gd)的数据;对比了传统Statz模型以及改进模型的仿真结果与实验测量数据的相对误差。仿真结果和误差分析表明改进模型与实验测量数据吻合很好,在大部分工作范围内误差控制在5%以下,证明改进模型适用于表征MOSFET的非线性电容特性。
- 薛佳男刘逸哲高建军
- 关键词：等效电路
- 一种基于半分析法的HEMT小信号参数的提取方法(英文)被引量：2
- 2014年
- 提出了一种基于半分析法的高速电子迁移率半导体晶体管小信号模型的提取方法.此方法是用测试结构的方法来提取焊盘电容和寄生电感,半分析法来提取寄生电阻,提高了寄生电阻的提取精度.在频率高达40 GHz的范围内,多偏置情况下模拟的S参数和测试的S参数曲线吻合良好,证明这种方法是正确的.
- 范彩云高建军
- 关键词：寄生电阻小信号模型
- 小信号放大器干扰特性分析
- 随着GSM、CDMA、UMTS、TD-SCDMA等各种无线通信制式的发展,不同制式系统间干扰现象越来越严重,放大器非线性特性是产生干扰现象的主要原因。主要分析了小信号放大器非线性特性及其在受单音信号干扰情况下非线性特性的...
- 韩波李雪赵萌高建军
- 关键词：放大器非线性无线通信
- 文献传递
