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马慧丽

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供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>

合作作者

题名
作者

文献类型

  • 1篇中文专利

主题

  • 1篇阳极
  • 1篇阳极氧化
  • 1篇阳极氧化铝
  • 1篇阳极氧化铝模...
  • 1篇阳极氧化铝膜
  • 1篇氧化铝模板
  • 1篇制备金属
  • 1篇离子轰击
  • 1篇金属
  • 1篇轰击
  • 1篇GAAS衬底
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇杨富华
  • 1篇刘雯
  • 1篇程凯芳
  • 1篇马慧丽
  • 1篇徐锐
  • 1篇王晓东

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法
本发明公开了一种在GaAs衬底上制备金属纳米颗粒的方法，该方法包括：在GaAs衬底正反面各淀积一层SiO<Sub>2</Sub>进行保护；在GaAs衬底的正面再蒸镀一层金属铝膜；将蒸镀有金属铝膜的GaAs衬底在阳极氧化浴...
刘雯王晓东程凯芳马慧丽王晓峰徐锐杨富华
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