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陈海峰

作品数：43 被引量：2H指数：1
供职机构：西安邮电大学更多>>
发文基金：陕西省教育厅科研计划项目西安―应用材料创新基金西安应用材料创新基金更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 36篇专利
  • 7篇期刊文章

领域

  • 17篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 15篇衬底
  • 10篇氧化镓
  • 10篇沟道
  • 9篇探测器
  • 7篇电极
  • 7篇金属
  • 6篇半导体
  • 6篇半导体器件
  • 5篇栅控
  • 5篇阈值电压
  • 5篇MOSFET
  • 5篇掺杂
  • 5篇NMOSFE...
  • 4篇电学
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅压
  • 4篇刻蚀
  • 4篇扩散法
  • 4篇兼容性
  • 4篇光电

机构

  • 39篇西安邮电大学
  • 4篇西安邮电学院

作者

  • 43篇陈海峰
  • 8篇过立新
  • 2篇商世广
  • 2篇杜慧敏
  • 1篇赵玲
  • 1篇董军
  • 1篇张霞

传媒

  • 2篇物理学报
  • 2篇固体电子学研...
  • 1篇微电子学
  • 1篇纳米科技
  • 1篇西安邮电大学...

年份

  • 2篇2024
  • 3篇2023
  • 6篇2022
  • 1篇2021
  • 2篇2020
  • 3篇2019
  • 5篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 8篇2015
  • 2篇2013
  • 6篇2012
共 43 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
nMOSFET中界面陷阱产生电流的电容效应
2017年
研究金属氧化物场效应晶体管nMOSFET中界面陷阱引发的产生电流的电容特性,基于产生效应生成的泄漏电流实验曲线提取电容曲线,发现其呈现出一正一负两个尖峰。这种现象为在积累区到耗尽区、耗尽区到反型区的两个过渡区域中陷阱产生的载流子受到栅压的控制程度最强所致。理论分析发现,正、负尖峰峰值绝对值分别为2.8×10^(-16) A·s/(m·V)和4×10^(-16) A·s/(m·V),且负峰值的绝对值大于正峰值,该结果反映出从积累区进入到耗尽层初期时栅电压下的电容能力要强于从耗尽区进入到反型区时的电容能力。
陈海峰
关键词：电容
一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源
本发明公开了一种由源端无电极的MOSFET器件构成的新型皮安级电流源,包括多个相同型号的MOSFET器件，所述每个相同型号的MOSFET器件上的漏极连接在一起，并接到输出端O，每个MOSFET器件上的衬底电极连接在一起，...
陈海峰
文献传递
一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法
一种基于栅控漏极产生电流提取MOSFET平带电压和阈值电压的方法，它涉及微电子技术领域。它根据MOSFET沟道从积累区、耗尽区到反型区引起的栅控产生电流变化来提取V<Sub>FB</Sub>和V<Sub>TH</Sub>...
陈海峰过立新
氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法
本发明公开了一种氧化镓基日盲紫外光强度探测器及其制备方法，所述探测器包括金属层a，金属层a上依次设有输运层、电荷传导层和SiO<Sub>2</Sub>层，电荷传导层中间设有端部为插指状的凸起，该凸起穿过SiO<Sub>2...
陈海峰
文献传递
氧化镓-二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法
本发明具体涉及氧化镓‑二维P型范德华隧穿晶体管、双波段光电探测器件及制备方法，解决现有UWBG材料晶体管/光电探测器件制备中因Ga<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>缺少P型掺杂、无法同时实现隧穿晶体管和栅...
王湛刘朋源孙静关云鹤刘翔泰陆琴王少青贾一凡陈海峰马晓华
文献传递
一种双栅电极的半导体器件其制造方法及应用
本发明公开了一种双栅电极的半导体器件其制造方法及应用，衬底区上右侧底设有漏掺杂区，沟道上衬底进行表面处理而形成一层陷阱层，陷阱层上设有一栅介质绝缘层，栅介质绝缘层上有第一栅电极端金属层和第二栅电极端金属层，第一栅电极端金...
陈海峰
一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池
一种基于钝化膜中嵌入电荷的晶体硅太阳电池，它涉及半导体器件技术领域，它在传统的晶硅电池结构中对钝化层中增加光学浮栅并进行电荷注入。它可在发射区重掺杂，具有较大的开路电压VOC；减小了发射区“死层”中的复合，增加了光生载流...
陈海峰过立新
文献传递
一种基于陷阱产生机制的半导体器件其制造方法及应用
本发明公开了一种基于陷阱产生机制的半导体器件其制造方法及应用，衬底区上一侧设有电学悬浮掺杂区，另一侧设有漏端掺杂区，电学悬浮掺杂区和漏端掺杂区中间为陷阱层，栅介质绝缘层覆盖在电学悬浮掺杂区和陷阱层之上，其上并设有栅端金属...
陈海峰
文献传递
基于陷阱特性的半导体电容器件及其制备方法与应用
本发明提供了基于陷阱特性的半导体电容器件及其制备方法与应用，本发明半导体电容器件制备方法包括：选取高掺杂的N型或P型材料，在衬底表面生长一层氧化隔离层，通过光刻确定电容区、漏区以及沟道区，刻蚀掉沟道区域上面的氧化隔离层，...
陈海峰
文献传递
一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法
本发明一种在硅衬底上制备氧化镓薄膜的方法，属于半导体材料制备领域，采用的技术方案：步骤1)清洗硅衬底，并将清洗后的硅衬底放入原子层沉积腔室内；步骤2)调整原子层沉积腔室内真空度＜1Torr，将硅衬底温度升温至230℃‑2...
刘祥泰王嘉洋王少青贾一凡陆芹王湛陈海峰
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