刘艳红
- 作品数：28 被引量：52H指数：5
- 供职机构：大连理工大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 电化学刻蚀制备多孔InP
- 利用扫描电子显微镜(SEM)对电化学刻蚀多孔InP的形貌进行了表征,用耗尽层模型和场强化效应模型讨论了多孔InP刻蚀的机制。
- 翁占坤申慧娟刘爱民刘艳红徐峰罗慧晶
- 关键词：电化学刻蚀
- 文献传递
- 专业课课堂实践教学的探索
- 2012年
- 本文首先从认识的基本原理出发,指出以解决实际问题为导向的课堂教学才会取得好的效果。实践教学对教学具有重要的意义。作者从个人学习及教学的体会及中外对习题的态度上,提出在课堂教学中,通过习题的分析讲解,可以达到实践教学的目的。习题有可能也有必要去承担起实践教学的任务。
- 刘艳红申人升梁红伟
- 关键词：专业课实践教学习题
- 等离子体技术在微细加工中的应用被引量：1
- 1998年
- 简要介绍了等离子体技术和微细加工技术。叙述了等离子体技术在微细加工技术的三个主要方面———微细图形加工、离子注入、薄膜沉积———中的应用。
- 刘艳红
- 关键词：等离子体技术微细加工技术
- CH_4或CH_4+Ar介质阻挡放电中的离子能量和类金刚石膜制备被引量：11
- 2006年
- 实验上,利用纯CH4及CH4+Ar在几百帕量级气压下的介质阻挡放电制备类金刚石膜,研究了气压p与放电间隙d乘积(pd值)以及Ar的体积百分比RAr对膜硬度的影响.理论上,从离子与气体分子的双体碰撞出发,利用较高折合电场强度E/n(电场强度与粒子数密度之比)下离子及中性粒子速度分布的双温模型、离子在其他气体中运动时遵守的朗之万方程及离子在混合气体中运动时遵守的布兰克法则,对CH4+和Ar+离子能量进行了分析.结果表明:1)CH4介质阻挡放电中,pd值由1·862×103Pa mm降低至2·66×102Pa mm时,CH4+能量由5·4eV增加到163eV,类金刚石膜硬度由2·1GPa提高到17·6GPa;2)保持总气压p=100Pa,放电间距d=5mm不变,在CH4中加入Ar气,当RAr由20%增加至83%时,CH4+的能量由69eV增加到92eV,而Ar+能量由93eV降低至72eV.虽然CH4+能量增加有助于提高沉积膜硬度,但当RAr大于67%,高强度Ar+轰击会导致膜表面石墨化,膜硬度降低.为了验证离子能量理论模型的正确性,实验测量了H2介质阻挡放电中离子能量,测量结果与理论计算之间最大相对误差为16%.
- 刘艳红张家良王卫国李建刘东平马腾才
- 关键词：离子能量介质阻挡放电类金刚石膜
- 射频磁控溅射沉积SiO_2膜的研究被引量：8
- 1997年
- 研究以射频磁控溅射法在Ｓｉ衬底上沉积ＳｉＯ２膜．这一方法避免了高温氧化法对器件性能的损害．在结构和物理性能上对ＳｉＯ２进行了多方面的测试和分析．结果表明，ＳｉＯ２膜具有：１）微晶结构，结构致密、表面均匀、无针孔等．２）优良的物理性能，腐蚀速率（在Ｐ腐蚀液中）０．２０～０．２４ｎｍ／ｓ，击穿场强２．６×１０７～４．４×１０７Ｖ／ｃｍ．可以得出结论：射频磁控溅射法沉积的ＳｉＯ２膜与热氧化法沉积的ＳｉＯ２膜具有相同的物理性质．
- 刘艳红郭宝海马腾才
- 关键词：硅器件二氧化硅射频磁控溅射法
- 一种β－碳化硅薄膜的制备方法
- 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下...
- 边继明张志坤毕凯峰刘艳红刘维峰秦福文
- 文献传递
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法
- 基于HEMT结构的镓系半导体忆阻器及其制备方法，属于半导体器件技术领域。在衬底上依次生长缓冲层、GaN层、AlGaN层，AlGaN层上方设有下电极，AlGaN层上方还设有器件区域或者器件区域阵列，器件区域或者器件区域阵列...
- 黄火林左青源刘艳红代建勋李大卫
- 介质阻挡放电等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置
- 本发明公开了一种以介质阻挡放电方式产生等离子体的等离子体热丝化学气相沉积的方法与装置。本发明的特征是利用金属网强制提供的零等位面作为介质阻挡放电的零电位电极，热丝位于金属网的另一侧，从而实现了等离子体区与热丝区的分离。处...
- 刘艳红刘东平马腾才刘爱民吕博嘉
- 文献传递
- 日益活跃的蓝色发光材料的研究进展
- 1997年
- 日益活跃的蓝色发光材料的研究进展刘艳红胡礼中（大连理工大学物理系１１６０２４）蓝色在全彩色化显示及提高存储密度方面有重要的应用价值。传统的蓝色发光材料有ＳｉＣ、ＺｎＳｅ、ＧａＮ等。ＳｉＣ是间接带隙半导体，发光强度有限，其发光二极管亮度只有１０～２０ｍ...
- 刘艳红胡礼中
- 关键词：蓝色发光材料蓝色发光二极管多孔硅硅基发光材料氧化硅大屏幕显示
- 介质阻挡放电制备类金刚石膜的研究
- 本文为提高介质阻挡放电方法制备类金刚石膜的质量，深入研究了成膜过程中等离子体性质与成膜质量之间的关系。首先比较不同碳源气体CH<,4>、C<,2>H<,6>介质阻挡放电方法制备类金刚石膜的工艺条件，分析等离子体过程的不同...
- 刘艳红
- 关键词：类金刚石膜介质阻挡放电离子能量等离子体参数
- 文献传递
