王建峰
- 作品数：128 被引量：25H指数：3
- 供职机构：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学金属学及工艺化学工程更多>>
- 基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法
- 本发明公开了一种基于恒温电解液振荡的电化学剥离GaN衬底的方法。所述方法包括：提供待处理的样品，所述样品包括GaN衬底和依次生长在GaN衬底上的牺牲层和外延结构层，且所述牺牲层上还形成有欧姆接触电极；以所述样品作为工作电...
- 王骁王建峰张育民徐科
- 评估微纳米级发光二极管性能老化的方法
- 本发明公开了一种评估微纳米级发光二极管性能老化的方法，其包括：获取待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照前晶体结构图像；采用激光辐照待测样品；获取激光辐照后的待测样品的原子级晶体结构图，得到辐照后晶体结构图像；对辐照前晶体...
- 王敏学易觉民王淼牛牧童张育民王建峰徐科
- 高质量InGaN的等离子体辅助分子束外延生长和In的反常并入行为被引量：5
- 2013年
- 采用射频等离子体辅助分子束外延技术生长得到了In组分精确可控且高质量的InxGa1xN(x0.2)外延薄膜.生长温度为580℃的In0.19Ga0.81N薄膜(10.2)面非对称衍射峰的半高宽只有587弧秒,背景电子浓度为3.96×1018/cm3.在富金属生长区域,Ga束流超过N的等效束流时,In组分不为零,即Ga并没有全部并入外延层;另外,稍微增加In束流会降低InGaN的晶体质量.
- 吴渊渊郑新和王海啸甘兴源文瑜王乃明王建峰杨辉
- 关键词：晶体质量
- 等离激元窄带吸收薄膜
- 本发明提供一种等离激元窄带吸收薄膜，包括基底层及设置于所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒按一定周期排列形成。本发明的优点在于：1、相...
- 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科
- 文献传递
- 极低位错密度氮化镓单晶及其助熔剂法生长方法
- 本发明公开了一种助熔剂法生长极低位错密度氮化镓单晶的方法，包括：于氮化镓衬底上设置图形化掩膜；以所述氮化镓衬底作为籽晶，利用液相外延方法生长获得低位错密度氮化镓单晶；对所述低位错密度氮化镓单晶进行位错选择腐蚀，并对腐蚀区...
- 刘宗亮徐科任国强王建峰
- 文献传递
- 电场增强结构
- 本发明提供一种电场增强结构，包括基底层及设置在所述基底层表面的介质层，还包括设置在所述介质层表面的隔离层及设置在所述隔离层表面的介电颗粒层，所述介电颗粒层由多个介电颗粒形成，所述介电颗粒的折射率大于所述隔离层的折射率。本...
- 黄增立王建峰刘争晖徐耿钊钟海舰樊英民徐科
- 材料表面局部光谱测量装置及测量方法
- 本发明提供材料表面局部光谱测量装置及测量方法，属于半导体测试技术领域。装置包括反应腔、光源和光谱仪，光源和光谱仪均与反应腔相连，反应腔又包括第一真空腔、第二真空腔、真空阀门、真空传递装置、聚焦离子束刻蚀装置和光路耦合装置...
- 徐耿钊刘争晖钟海舰樊英民曾雄辉周桃飞邱永鑫王建峰徐科
- 光谱选择性光电探测器及其制备方法
- 本发明提供一种光谱选择性光电探测器，包括基底以及在基底上依次设置的等离激元结构层和掺锡氧化铟层，所述等离激元结构层包括多个介质结构单元，每个介质结构单元包括一条状主吸收窗口以及一对或多对条状吸收调节窗口，所述条状吸收调节...
- 张传杰王建峰黄增立徐科
- 文献传递
- AlN:Er薄膜在不同退火温度下应力诱导的微观结构演变被引量：3
- 2016年
- 以透射电镜中的弱束衍衬成像和高分辨相位衬度成像为主要表征手段,辅以X射线衍射、拉曼光谱等测试方法,对Al N:Er样品在退火过程中的微观结构演变过程进行了深入分析。在透射电镜观察下,Er离子注入的Al N样品在退火前存在三个区域:区域Ⅰ为自表面以下约30 nm深度;区域Ⅱ为区域I以下约50 nm深度;区域Ⅲ为区域Ⅱ以下的部分,其中区域Ⅱ为损伤最为严重的区域。在较低的温度(如1025℃时)退火后,区域Ⅰ消失;但1200℃退火后,又重新可以观察到区域Ⅰ。结合TEM、XRD和Raman测试结果,从损伤恢复和应力释放的角度对上述实验现象进行了理论解释:由于Er离子半径和基体原子半径的差异,在区域Ⅱ中引入较大的应力;在1025℃退火时,来自区域Ⅱ的应力作用于区域Ⅰ,导致区域I发生大的晶格扭曲,和区域II合并,用TEM观察不到;在1200℃退火时,应力在表面释放,区域I的晶格扭曲修复,从而用TEM可重新观察到。
- 阳明明莫亚娟王晓丹曾雄辉刘雪华黄俊张纪才王建峰徐科
- 关键词：离子注入
- 一种氮化硅单晶及其制备方法与应用
- 本发明公开了一种氮化硅单晶及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用外延生长的方法在SiC衬底上直接外延生长作为插入层的多层石墨烯，制得石墨烯/SiC衬底；以及，将所述石墨烯/SiC衬底置于外延生长设备的反应腔室中，向所...
- 王钰宁徐俞王建峰徐科
