牛微
- 作品数:69 被引量:103H指数:6
- 供职机构:沈阳工程学院更多>>
- 发文基金:国家自然科学基金辽宁省教育厅高等学校科学研究项目辽宁省自然科学基金更多>>
- 相关领域:一般工业技术理学文化科学化学工程更多>>
- 一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法
- 本发明公开了一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备及其筛选方法,涉及钛酸盐高熵陶瓷原料技术领域。本发明的一种稀有金属钛酸盐高熵陶瓷筛选设备,包括筛选筒、筛选机构和圆形底板,筛选筒包括呈同轴设置的外环套和内环套及用于连接外环套...
- 董颖男唐美玲李珊珊牛微唐坚毕孝国刘瑾
- Sm掺杂对TiO_2薄膜结构和电致变色性能的影响被引量:6
- 2014年
- 以钛酸四丁酯和硝酸钐为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了Sm掺杂TiO2薄膜。Sm掺杂的摩尔分数分别为0,2%,5%,10%和20%。采用XRD和TG-DTA表征了薄膜的结构和热重特性,使用电化学工作站和紫外-可见分光光度计研究了薄膜的电致变色性能。结果表明,Sm掺杂使得TiO2薄膜具有更高的无定形程度。250℃热处理的Sm掺杂TiO2薄膜具有较高的电荷存储能力和循环可逆性。Sm掺杂量为5%时,薄膜的峰值电流最大,电荷存储能力最强,注入电荷密度为13.35mC/cm2,循环可逆性K值为0.92。Sm掺杂TiO2薄膜在可见光范围内具有较好的光学透明度,透光率在70%~80%。适于用作电致变色器件的离子存储层。
- 牛微毕孝国王刚孙旭东
- 关键词:电致变色TIO2薄膜循环伏安稀土掺杂
- WO_3-TiO_2光阳极的制备及其光解水制氢性能研究被引量:2
- 2016年
- 以钛酸四丁酯和钨酸钠为主要原料,采用溶胶-凝胶法制备了WO_3-TiO_2复合光阳极,WO_3所占的质量分数分别为0.5%、1%、2%和3%。采用XRD和SEM表征了WO_3-TiO_2光阳极的结构,研究了WO3掺杂、热处理温度对薄膜结构和光解水制氢性能的影响。结果表明,WO_3掺杂提高了TiO_2光阳极的光解水制氢速率。当WO_3掺杂量为2%、热处理温度为400℃、WO_3-TiO_2复合光阳极为高结晶度的锐钛矿晶型时,光催化活性最好,光解水制氢速率为5.8μmol/h。
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- 关键词:光催化制氢
- 一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置
- 本发明公开了一种焰熔法钛酸锶单晶体生长装置,固定架一端固定安装有热熔管,热熔管侧端对称焊接有固定卡接板,固定卡接板一端等距卡接有若干个热熔枪,热熔枪进气端与输气管出气端固定连接,热熔枪贯穿安装于热熔管一端,热熔管内侧焊接...
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- 应用型本科能源化学工程专业建设的实践与思考被引量:7
- 2015年
- 社会经济的快速发展对人才培养提出了新的要求。通过结合沈阳工程学院能源化学工程专业的办学实际,从专业发展方向及培养目标定位、人才培养体系、教学管理和质量保障、教学改革等方面论述了专业人才培养模式及其实践效果。
- 赵海刘瑾董颖男牛微李珊珊毕孝国
- 关键词:应用型本科教学改革
- 一种生长光学级金红石单晶体的焰熔炉
- 一种生长光学级金红石单晶体的焰熔炉,涉及一种光学晶体的生长炉。由炉体基体(1)、炉体壳体(2)、刚玉管(3)、观察孔(4)、硅钼棒(5)、散热孔(6)、热电偶(7)、热电偶引线(8)、控制柜(9)、炉体支座(10)和测温...
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- 文献传递
- 焰熔法制备单晶体生长室内的燃烧特性被引量:6
- 2015年
- 以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长单晶体过程中生长室内的燃烧特性。结果表明:在O2和H2的流量分别为6 L/min和20 L/min条件下炉膛中心最高温度为3504.3 K,根据这个结果可确定晶体生长的位置或确定在已知位置晶体生长所需要的最佳流量;随着H2流量的增大,生长室内中心和径向的温度都逐渐提高,而最高温度的位置随着O2流量的增大而逐渐向下移动,中心O2流量每增大1 L/min,最高温度的位置向下移动5 mm,在距喷嘴110 mm处的温度平均升高230℃左右;H2分布圆直径对生长室内中心与径向的温度分布、O2的冲击深度和开始燃烧位置的影响很小。
- 刘旭东毕孝国唐坚牛微董颖男
- 关键词:材料合成与加工工艺焰熔法单晶体燃烧特性
- 一种胶体溶液制备及镀膜装置
- 本实用新型涉及一种胶体溶液制备及镀膜装置,属于薄膜制备领域,包括:多组组分溶液存储容器;每组组分溶液存储容器连接的一级组分溶液滴定速度控制器;与每组组分溶液滴定速度控制器的出口连接的胶体溶液反应器;与所述胶体溶液反应器出...
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- 氨基三甲叉膦酸的合成及其缓蚀性能研究被引量:1
- 2017年
- 氨基三甲叉膦酸(ATMP)为阴极型缓蚀剂,缓蚀性能是无机聚合磷酸盐的4~7倍,可与多种缓蚀剂、阻垢剂配合使用,增加缓蚀效果。本文以三氯化磷、甲醛和氯化铵为原料一步合成ATMP,研究了原料配比、合成温度以及回流时间对ATMP缓蚀性能的影响。研究结果表明:当PCl_3∶HCHO∶NH4Cl的最佳原料配比为3∶4.1∶1,合成温度为110℃,回流时间分别为3h的条件下,ATMP缓蚀性能最好,缓蚀率为77.2%。
- 牛微赵頔丛日鹏李炟
- 关键词:氨基三甲叉膦酸缓蚀性能
- 生长工艺对生长室内温度分布影响的数值模拟被引量:3
- 2015年
- 为给实验研究晶体生长工艺提供必要的理论指导,以氢气和氧气的燃烧为基础,研究了焰熔法生长金红石单晶体过程中生长室内的温度分布特征,分析了H_2和O_2流量、喷嘴尺寸对温度分布的影响.研究表明:适合金红石单晶体生长的最佳燃烧器为内O_2、中H_2和外O_2的三管结构;随着H_2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐增大,H_2流量增加2 L/min,中心最高温度平均升高160℃,位置向下移动约2.5 mm;随着内、外O_2流量增加,生长室轴心线上和径向温度逐渐降低,与内O_2的影响相比,外O_2对中心温度影响较小,而对径向温度的影响较大;随着内O_2喷嘴孔径的增加,生长室轴心线上最高温度逐渐增大,而位置逐渐向喷嘴方向移动,而外O_2和H_2喷嘴孔径对轴心线上最高温度的影响非常小.
- 刘旭东毕孝国唐坚牛微孙旭东
- 关键词:焰熔法温度分布燃烧器